NXH240B120H3Q1x1G Si-/SiC-Hybridmodule

onsemi NXH240B120H3Q1x1G Leistungsintegrierte Si-/SiC-Hybrid-Module (PIMs) enthalten ein 1.200-V-Dreikanal-IGBT- + SiC-Aufwärtsmodul und einen NTC-Thermistor. Jeder Kanal besteht aus einem schnellschaltenden 80-A-IGBT, einer 30-A-SiC-Diode, einer Bypass-Diode und einer IGBT-Schutzdiode. Integrierte Field-Stop-Trench-IGBTs und SiC-Dioden bieten geringere Leitungsverluste und Schaltverluste, was einen hohen Wirkungsgrad und eine hervorragende Zuverlässigkeit ermöglicht.