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IXFN94N50P2

Name: IXYS IXFN94N50P2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN94N50P2
Price: 18.85 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFN94N50P2

Herst.- Nr.:

IXFN94N50P2

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFET-Module MBLOC 500V 68A N-CH POLARP2

Datenblatt:

IXFN94N50P2 Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	SOT-227B-4
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	500 V
Id - Drain-Gleichstrom:	68 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	55 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	780 W
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Abfallzeit:	11 ns
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	34 ns
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Handelsname:	HiPerFET
Typ:	HiperFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	67 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	15 ns
Gewicht pro Stück:	30 g

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IXFN94N50P2 Datenblatt

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USHTS:: 8541900080
ECCN:: EAR99

Polar2™ HiPerFET™ MOSFETs

IXYS Polar2™ HiPerFET™ MOSFETs are offered with drain current ratings of 24, 42, 52, 74, 94, and 120 Amperes. These high-performance devices retain all the features and advantages of the PolarP2 Standard versions, with the added benefit of a fast intrinsic rectifier for increased turn-off dV/dt immunity and low reverse recovery speeds (t_rr <=250ns).