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MSC100SM70JCU2

Name: Microchip MSC100SM70JCU2
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC100SM70JCU2
Price: 41.01 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

494-MSC100SM70JCU2

Herst.- Nr.:

MSC100SM70JCU2

Herst.:

Microchip Technology

Beschreibung:

Diskrete Halbleitermodule PM-MOSFET-SIC-SBD-SOT227

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Datenblatt:

MSC100SM70JCU2 Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	Microchip
Produktkategorie:	Diskrete Halbleitermodule
RoHS:
Produkt:	MOSFET-SiC SBD Modules
Typ:	MOSFET / SiC SBD
Technologie:	SiC
Vf - Durchlassspannung:	1.5 V
Vr - Sperrspannung:	700 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 25 V
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	SOT-227
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Bulk
Marke:	Microchip Technology
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	20 ns
Id - Drain-Gleichstrom:	124 A
Pd - Verlustleistung:	365 W
Produkt-Typ:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	19 mOhms
Anstiegszeit:	35 ns
Verpackung ab Werk:	1
Unterkategorie:	Discrete Semiconductor Modules
Transistorpolung:	N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	50 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	40 ns
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	700 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.9 V

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USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiC-Schottky-Barriere-Dioden

Microsemi/Microchip SiC-Schottky-Dioden (SBD) bieten eine bessere dynamische und thermische Leistung als herkömmliche Silizium-Leistungsdioden. Die SiC-Barriere-Dioden (Siliziumkarbid, SiC) bestehen aus Silizium (Si) und Kohlenstoff (C). Im Vergleich zu reinen Silizium-Bauelementen bieten SiC-Bauelemente eine viel größere dielektrische Durchschlagsfeldstärke, eine höhere Bandlücke und eine höhere Wärmeleitfähigkeit. Die SiC-Schottky-Dioden verfügen über keine Durchlass- und Sperrverzögerungsladung, wodurch die Dioden-Schaltverluste reduziert werden können. Darüber hinaus bieten die Bauteile eine temperaturunabhängige Schaltung und gewährleisten eine stabile Hochtemperaturleistung.