GeneSiC Semiconductor Diodenmodule

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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Vr - Sperrspannung
If - Durchlassstrom
Typ
Konfiguration
Vf - Durchlassspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
GeneSiC Semiconductor Diodenmodule 150V 160A Standard
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 40
Mult.: 40

Screw Mount TO-249AB 150 V 160 A - 55 C + 150 C Bulk
GeneSiC Semiconductor Diodenmodule 20V 160A Schottky Recovery
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 40
Mult.: 40

Screw Mount TO-249AB 20 V 160 A 700 mV - 55 C + 150 C FST160 Bulk
GeneSiC Semiconductor Diodenmodule 200V 160A Standard
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 40
Mult.: 40

Screw Mount TO-249AB 200 V 160 A - 55 C + 150 C Bulk
GeneSiC Semiconductor Diodenmodule 30V 160A Schottky Recovery
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 40
Mult.: 40

Screw Mount TO-249AB 30 V 160 A 750 mV - 55 C + 150 C FST160 Bulk
GeneSiC Semiconductor Diodenmodule 35V 160A Schottky Recovery
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 40
Mult.: 40

Screw Mount TO-249AB 35 V 160 A 750 mV - 55 C + 150 C FST160 Bulk
GeneSiC Semiconductor Diodenmodule 40V 160A Schottky Recovery
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 40
Mult.: 40

Screw Mount TO-249AB 40 V 160 A 750 mV - 55 C + 150 C FST160 Bulk
GeneSiC Semiconductor Diodenmodule 45V 160A Schottky Recovery
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 40
Mult.: 40

Screw Mount TO-249AB 45 V 160 A Single Dual Anode 750 mV - 55 C + 150 C FST160 Bulk
GeneSiC Semiconductor Diodenmodule 60V 160A Schottky Recovery
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 40
Mult.: 40

Screw Mount TO-249AB 60 V 160 A Single Dual Anode 800 mV - 55 C + 150 C FST160 Bulk
GeneSiC Semiconductor Diodenmodule 80V 160A Schottky Recovery
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 40
Mult.: 40

Screw Mount TO-249AB 80 V 160 A 880 mV - 55 C + 150 C FST160 Bulk
GeneSiC Semiconductor Diodenmodule SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A100P/70
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 40
Mult.: 40

Screw Mount Twin Tower 100 V 120 A 880 mV - 55 C + 150 C MBR120 Bulk
GeneSiC Semiconductor Diodenmodule SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A100P/70
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 40
Mult.: 40

Screw Mount Twin Tower 100 V 120 A 880 mV - 55 C + 150 C MBR120 Bulk
GeneSiC Semiconductor Diodenmodule 20V 120A Schottky Recovery
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 40
Mult.: 40

Screw Mount Twin Tower 20 V 120 A 700 mV - 55 C + 150 C MBR120 Bulk
GeneSiC Semiconductor Diodenmodule 20V 120A Schottky Recovery
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 40
Mult.: 40

Screw Mount Twin Tower 20 V 120 A 700 mV - 55 C + 150 C MBR120 Bulk
GeneSiC Semiconductor Diodenmodule 30V 120A Schottky Recovery
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 40
Mult.: 40

Screw Mount Twin Tower 30 V 120 A 750 mV - 55 C + 150 C MBR120 Bulk
GeneSiC Semiconductor Diodenmodule 30V 120A Schottky Recovery
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 40
Mult.: 40

Screw Mount Twin Tower 30 V 120 A 750 mV - 55 C + 150 C MBR120 Bulk
GeneSiC Semiconductor Diodenmodule 35V 120A Schottky Recovery
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 40
Mult.: 40

Screw Mount Twin Tower 35 V 120 A 750 mV - 55 C + 150 C MBR120 Bulk
GeneSiC Semiconductor Diodenmodule 35V 120A Schottky Recovery
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 40
Mult.: 40

Screw Mount Twin Tower 35 V 120 A 750 mV - 55 C + 150 C MBR120 Bulk
GeneSiC Semiconductor Diodenmodule 40V 120A Schottky Recovery
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 40
Mult.: 40

Screw Mount Twin Tower 40 V 120 A 750 mV - 55 C + 150 C MBR120 Bulk
GeneSiC Semiconductor Diodenmodule 40V 120A Schottky Recovery
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 40
Mult.: 40

Screw Mount Twin Tower 40 V 120 A 750 mV - 55 C + 150 C MBR120 Bulk
GeneSiC Semiconductor Diodenmodule 45V 120A Schottky Recovery
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 40
Mult.: 40

Screw Mount Twin Tower 45 V 120 A 750 mV - 55 C + 150 C MBR120 Bulk
GeneSiC Semiconductor Diodenmodule 45V 120A Schottky Recovery
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 40
Mult.: 40

Screw Mount Twin Tower 45 V 120 A 750 mV - 55 C + 150 C MBR120 Bulk
GeneSiC Semiconductor Diodenmodule 60V 120A Schottky Recovery
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 40
Mult.: 40

Screw Mount Twin Tower 60 V 120 A 800 mV - 55 C + 150 C MBR120 Bulk
GeneSiC Semiconductor Diodenmodule 60V 120A Schottky Recovery
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 40
Mult.: 40

Screw Mount Twin Tower 60 V 120 A 800 mV - 55 C + 150 C MBR120 Bulk
GeneSiC Semiconductor Diodenmodule SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A 80P56R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 40
Mult.: 40

Screw Mount Twin Tower 80 V 120 A 880 mV - 55 C + 150 C MBR120 Bulk
GeneSiC Semiconductor Diodenmodule SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A 80P56R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 40
Mult.: 40

Screw Mount Twin Tower 80 V 120 A 880 mV - 55 C + 150 C MBR120 Bulk