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MSC50DC120HJ

Name: Microchip MSC50DC120HJ
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC50DC120HJ
Price: 56.12 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

494-MSC50DC120HJ

Herst.- Nr.:

MSC50DC120HJ

Herst.:

Microchip Technology

Beschreibung:

Diodenmodule PM-DIODE-SIC-SBD-SOT227

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Datenblatt:

MSC50DC120HJ Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	Microchip
Produktkategorie:	Diodenmodule
RoHS:
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	SOT-227-4
Vr - Sperrspannung:	1.2 kV
Konfiguration:	Full Bridge
Vf - Durchlassspannung:	1.5 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Verpackung:	Tube
Marke:	Microchip Technology
Produkt:	SiC Schottky Diode Modules
Produkt-Typ:	Diode Modules
Verpackung ab Werk:	1
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Technologie:	SiC

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USHTS:: 8541590080
ECCN:: EAR99

Siliziumkarbid(SiC)-Leistungsmodule

Die Siliziumkarbid(SiC)-Leistungsmodule von Microchip Technology vereinen eine beeindruckende Palette von Technologien in einem einzigen Gehäuse, das für Zuverlässigkeit, Effizienz, Platzersparnis und reduzierte Montagezeit optimiert ist. Die sofort verfügbare Standardmodul-Produktlinie von Microchip Technology umfasst eine große Auswahl an Schaltungstopologien, Halbleitern, einschließlich Siliziumkarbid, Nennspannungen und Nennströme sowie Gehäusen. Einzigartige Anforderungen können mit anwendungsspezifischen Leistungsmodulen (ASPM®) erfüllt werden.

Siliziumkarbid(SiC)-Halbleiter

Microchip Technology Siliziumkarbid(SiC)-Halbleiter sind eine innovative Option für Leistungselektronik-Designer, welche den Systemwirkungsgrad verbessern, einen kleineren Formfaktor und höhere Betriebstemperaturen in Produkten im Bereich der Industrie, Medizintechnik, Militär-/Luft- und Raumfahrt, Luftverkehr und im Kommunikationsmarkt erzielen möchten. Die SiC-MOSFETs und SiC-Schottky-Barrier-Dioden (SBDs) der nächsten Generation von Microchip Technology wurden mit einer hohen repetitiven UIS-Fähigkeit (Unclamped Inductive Switching) entwickelt. Die SiC-MOSFETs können eine hohe UIS-Fähigkeit bei etwa 10 J/cm² bis 15 J/cm² bis 15 J/cm2 und einen robusten Kurzschlussschutz bei 3 ms bis 5 ms aufrechterhalten. Die SiC-SBDs von Microchip Technology sind für einen niedrigen Schaltverlust mit einem symmetrischen Stoßstrom, einer Durchlassspannung, einem thermischen Widerstand und thermischen Kapazitätswerten bei niedrigem Sperrstrom ausgelegt. Darüber hinaus können der SiC-MOSFET und die SiC-SBD für den Einsatz in Modulen gepaart werden.