QPD1025 GaN FETs

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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Vgs - Gate-Source-Spannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Qorvo GaN FETs 1-1.1GHz 1800 Watt Gain 22.5dB 65V GaN
Datenblatt
13Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Screw Mount NI-1230-4 HEMT 2 Channel 65 V 28 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 685 W
Qorvo GaN FETs 1-1.1GHz 1500 Watt Gain 22.9dB 65V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT NI-1230-4 28 A - 40 C + 85 C 758 W
Qorvo GaN FETs DC-12 GHz, 10W, 32V GaN RF Tr Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000
SMD/SMT QFN-16 N-Channel 1 Channel 100 V 610 mA - 40 C + 85 C 17.5 W