References Diskrete Halbleiter

Arten von diskreten Halbleitern

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Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5 000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT U-DFN1412-3
Diodes Incorporated Gleichrichter FRED GPP Rectifier TO220AC TUBE 50PCS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rectifiers Through Hole TO-220AC-2
Diodes Incorporated Gleichrichter FRED GPP Rectifier TO220AC TUBE 50PCS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rectifiers Through Hole TO-220AC-2
Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5 000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT U-DFN1412-3
Diodes Incorporated Gleichrichter FRED GPP Rectifier TO220AC TUBE 50PCS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rectifiers Through Hole TO-220AC-2
Diodes Incorporated Gleichrichter FRED GPP Rectifier TO220AC TUBE 50PCS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rectifiers Through Hole TO-220AC-2
Diodes Incorporated Gleichrichter FRED GPP Rectifier TO252 T&R 2.5K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500
Rectifiers Through Hole TO-252-2

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500
MOSFETs Si SMD/SMT PowerDI5060-8
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 10K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 10 000
Mult.: 10 000
Rolle: 10 000
MOSFETs Si SMD/SMT U-DFN2020-6
Diodes Incorporated Gleichrichter FRED GPP Rectifier TO252 T&R 2.5K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500
Rectifiers Through Hole TO-252
Diodes Incorporated ESD-Schutzdioden / TVS-Dioden Dataline Protection PP SOD323 T&R 3K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000
SOD323-2
Diodes Incorporated ESD-Schutzdioden / TVS-Dioden Dataline Protection PP X1-DFN1006-2 T&R 10K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 10 000
X1-DFN1006-2

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500
MOSFETs Si SMD/SMT PowerDI5060-8

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500
MOSFETs Si SMD/SMT PowerDI5060-8
Diodes Incorporated ESD-Schutzdioden / TVS-Dioden Dataline Protection PP SOD323 T&R 3K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000
SOD323-2
Microchip Technology MOSFET HF-Transistoren RF MOSFET (VDMOS) Full-Bridge 13.56 MHz Reference Design Kit Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
RF MOSFETs Si Screw Mount
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500
MOSFETs Si SMD/SMT PowerDI5060-8
Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT Pwr Low Sat Transistor SOT89 T&R 4K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 4 000
Mult.: 4 000
Rolle: 4 000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT89

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500
MOSFETs Si SMD/SMT PowerDI5060-8
Diodes Incorporated Gleichrichter FRED GPP Rectifier TO252 T&R 2.5K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500
Rectifiers Through Hole TO-252-2
Microchip Technology DRF1310-CLASS-D
Microchip Technology MOSFET HF-Transistoren RF MOSFET (VDMOS) Push-Pull Hybrid 13.56 MHz Reference Design Kit Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
RF MOSFETs