GaN-Transistorlösungen für Sub-6-GHz-5G

Die GaN-Transistorlösungen für Sub-6-GHz-5G von Qorvo sind ein großes Portfolio diskreter Galliumnitrid(GaN)-Transistorprodukte. Die Bauteile verfügen über unterschiedliche Stufen von Leistung, Spannung und Frequenz auf Chip-Ebene und in Gehäuselösungen. Diese Produkte bieten eine hohe GaN-Leistung und die Vorteile der Industriestandard-Gehäuse. Dadurch werden Design und Fertigung beschleunigt und durch eine branchenführende Zuverlässigkeit gestützt.

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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Qorvo GaN FETs DC-3.6GHz GaN 90W 48V
Datenblatt
54Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 100

SMD/SMT DFN-6 48 V - 40 C
Qorvo GaN FETs DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN
Datenblatt
244Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 700 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 17.5 W
Qorvo GaN FETs DC-4GHz 45W GaN 48V
Datenblatt
68Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

SMD/SMT QFN-20 48 V - 40 C 45 W