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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Qualifikation Handelsname Verpackung
Toshiba MOSFETs P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218 5 662Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 30 A 21.8 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 80 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112 563Auf Lager
2 000erwartet ab 10.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 60 A 11.2 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 156 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P-Ch MOS -8A -60V 27W 890pF 0.104 2 565Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 8 A 104 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 19 nC - 55 C + 175 C 27 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK 218Auf Lager
2 000erwartet ab 02.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 81 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel