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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
IXYS MOSFET-Module ISOPLUS 100V 190A 3-PH BRIDGE
Datenblatt
Vorlaufzeit 41 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT ISOPLUS-DIL-17 N-Channel 100 V 190 A 2.2 mOhms - 15 V, + 15 V 2 V - 55 C + 150 C Tube
IXYS MOSFET-Module ISOPLUS 6NCH 75V 255A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 48 Wochen
Min.: 104
Mult.: 104
Si SMD/SMT ISOPLUS-DIL-17 N-Channel 75 V 255 A 1.3 mOhms - 15 V, + 15 V 2.3 V - 55 C + 150 C Tube