|
|
GaN FETs EPC eGaN Symetrical Half Bridge,60 V, 4.9 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
- EPC2102
- EPC
-
2 500:
CHF 4.46
-
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
|
Mouser-Teilenr.
65-EPC2102
|
EPC
|
GaN FETs EPC eGaN Symetrical Half Bridge,60 V, 4.9 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
|
|
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
|
|
Min.: 2 500
Mult.: 500
|
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|
SMD/SMT
|
BGA-75
|
N-Channel
|
2 Channel
|
60 V
|
30 A
|
4.9 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
8 nC, 11 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
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GaN FETs EPC eGaN Symetrical Half Bridge,100 V, 6.8 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
- EPC2104
- EPC
-
2 500:
CHF 4.46
-
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
|
Mouser-Teilenr.
65-EPC2104
|
EPC
|
GaN FETs EPC eGaN Symetrical Half Bridge,100 V, 6.8 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
|
|
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
|
|
Min.: 2 500
Mult.: 500
|
|
|
SMD/SMT
|
Die
|
|
2 Channel
|
100 V
|
30 A
|
6.8 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
6.8 nC, 6.8 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN FETs EPC eGaN Dual FET, Common Source, 120 V, 110 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
- EPC2110
- EPC
-
12 500:
CHF 0.842
-
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
|
Mouser-Teilenr.
65-EPC2110
|
EPC
|
GaN FETs EPC eGaN Dual FET, Common Source, 120 V, 110 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
|
|
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
|
|
Min.: 12 500
Mult.: 2 500
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA
|
N - Channel
|
2 Channel
|
120 V
|
3.4 A
|
110 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
0.8 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN FETs EPC AEC eGaN Dual FET,100 V, 58 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
- EPC2221
- EPC
-
12 500:
CHF 0.97
-
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
|
Mouser-Teilenr.
65-EPC2221
|
EPC
|
GaN FETs EPC AEC eGaN Dual FET,100 V, 58 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
|
|
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
|
|
Min.: 12 500
Mult.: 2 500
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA
|
N - Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
5 A
|
58 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
0.85 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN FETs EPC eGaN FET,160 V, 8 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
- EPC2234
- EPC
-
2 500:
CHF 5.35
-
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
-
Neues Produkt
|
Mouser-Teilenr.
65-EPC2234
Neues Produkt
|
EPC
|
GaN FETs EPC eGaN FET,160 V, 8 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
|
|
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
|
|
Min.: 2 500
Mult.: 500
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA
|
N - Channel
|
1 Channel
|
160 V
|
48 A
|
8 mOhms
|
- 4 V
|
2.5 V
|
11.1 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN FETs EPC eGaN FET,65 V, 480 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
- EPC8002
- EPC
-
12 500:
CHF 1.30
-
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
|
Mouser-Teilenr.
65-EPC8002
|
EPC
|
GaN FETs EPC eGaN FET,65 V, 480 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
|
|
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
|
|
Min.: 12 500
Mult.: 2 500
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
65 V
|
2 A
|
480 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
133 pC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
Schweiz
