Advanced Linear Devices MOSFETs

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.20V
Datenblatt
23Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.22 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Datenblatt
18Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 780 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Datenblatt
32Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 1.4 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.00V
Datenblatt
5Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.02 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.10V
Datenblatt
4Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.12 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual SAB MOSFET ARRAY VT=1.70V
Datenblatt
47Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 1.72 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual SAB MOSFET ARRAY VT=1.70V
Datenblatt
176Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 1.72 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad SAB MOSFET ARRAY VT=1.70V
Datenblatt
34erwartet ab 11.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 1.72 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Quad SAB MOSFET ARRAY
Datenblatt
50erwartet ab 11.03.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 50

Si SMD/SMT N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 3 V - 40 C + 85 C 500 mW Depletion Reel, Cut Tape, MouseReel
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.50V
Datenblatt
350erwartet ab 12.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.52 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad SAB MOSFET ARRAY VT=1.90V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA - 12 V, 12 V 1.92 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.20V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.22 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual MOSFET ARRAY Vt=2.30V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.28 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual MOSFET ARRAY Vt=2.40V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 1 Woche
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.42 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual MOSFET ARRAY Vt=2.60V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.62 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual MOSFET ARRAY Vt=2.70V
Datenblatt
Vorlaufzeit 3 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.72 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual MOSFET ARRAY Vt=2.80V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.82 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 50
Mult.: 50

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 50
Mult.: 50

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10 V 70 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Depletion Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 50
Mult.: 50

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 220 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 50
Mult.: 50

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 220 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 50
Mult.: 50

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 420 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 50
Mult.: 50

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 420 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 50
Mult.: 50

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 820 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube