STO68N65DM6

STMicroelectronics
511-STO68N65DM6
STO68N65DM6

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-channel 650 V, 53 mOhm typ., 55 A MDmesh DM6 Power MOSFET

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STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TO-LL-8
N-Channel
1 Channel
650 V
55 A
65 mOhms
- 25 V, 25 V
4.75 V
80 nC
- 55 C
+ 150 C
240 W
Enhancement
Reel
Marke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: MY
Abfallzeit: 7.5 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 12 ns
Serie: MDmesh DM6
Verpackung ab Werk: 1800
Unterkategorie: Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit: 69 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 23 ns
Gewicht pro Stück: 697 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MDmesh™ M6-MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ M6-MOSFETs kombinieren eine niedrige Gate-Ladung (Qg) mit einem optimierten Kapazitätsprofil, um einen hohen Wirkungsgrad auf neuen Topologien in Leistungsumwandlungsapplikationen zu ermöglichen. Die Super-Junction MDmesh™ M6-Baureihe bietet ein Betriebsverhalten mit hohem Wirkungsgrad, wodurch eine erhöhte Leistungsdichte und eine niedrige Gate-Ladung für den Betrieb bei hohen Frequenzen erzielt wird. Die MOSFETs der M6-Baureihe verfügen über eine Durchschlagspannung von 600 bis 700 V und sind in einer großen Auswahl von Gehäuseoptionen erhältlich. Dazu gehören eine TO-Leadless-(TO-LL)-Gehäuselösung, die ein effizientes Wärmemanagement ermöglicht. Die Bauteile umfassen eine große Auswahl von Betriebsspannungen für Industrieapplikationen, einschließlich Ladegeräte, Adapter, Silver-Box-Module, LED-Beleuchtung, Telekommunikation, Server und Solarapplikationen.