TPHR9003NL1,LQ
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Beschreibung:
MOSFETs UMOS8 SOP-ADV(N) RDSon=0.9mohm(max)
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Preis (CHF)
| Menge | Stückpreis |
Erw. Preis
|
|---|---|---|
| CHF 1.91 | CHF 1.91 | |
| CHF 1.23 | CHF 12.30 | |
| CHF 0.835 | CHF 83.50 | |
| CHF 0.667 | CHF 333.50 | |
| CHF 0.648 | CHF 648.00 | |
| Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000) | ||
| CHF 0.539 | CHF 2 695.00 | |
Datenblatt
Application Notes
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
Models
Product Catalogs
- CNHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- TARIC:
- 8541290000
- ECCN:
- EAR99
Schweiz
