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SICW040N120H4-BP

Name: Micro Commercial Components (MCC) SICW040N120H4-BP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-SICW040N120H4-BP
Price: 9.78 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

833-SICW040N120H4-BP

Herst.- Nr.:

SICW040N120H4-BP

Herst.:

Micro Commercial Components (MCC)

Beschreibung:

SiC-MOSFETs SiC MOSFET,TO-247-4

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

SICW040N120H4-BP Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 7.96	CHF 79.60
	CHF 6.63	CHF 663.00
	CHF 5.92	CHF 2 960.00
	CHF 5.75	CHF 5 750.00
	CHF 5.69	CHF 10 242.00
5 400	Kostenvoranschlag

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Micro Commercial Components (MCC)
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	62 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	75 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.7 V
Qg - Gate-Ladung:	229 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	326 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	Micro Commercial Components (MCC)
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	11 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	15 S
Verpackung:	Bulk
Produkt:	SiC MOSFETS
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	50 ns
Verpackung ab Werk:	1800
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	7 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	26 ns

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Datenblatt

SICW040N120H4-BP Datenblatt (PDF)

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SICW0x 1.200-V-SiC-n-Kanal-MOSFETs

Micro Commercial Components (MCC) SICW0x 1.200-V-SiC-n-Kanal-MOSFETs verstärken die Leistungsfähigkeit in vielseitigen TO-247-4-, TO-247-4L- und TO-247AB-Gehäusen. Diese MOSFETs verfügen über eine hohe Schaltgeschwindigkeit mit niedriger Gate-Ladung, Design-Flexibilität und Zuverlässigkeit. Die 1.200-V-SiC-MOSFETs der Baureihe SICW0x haben einen typischen breiten On-Widerstandsbereich von 21 mΩ bis 120 mΩ und eine zuverlässige Leistung. Diese SiC-MOSFETs bieten hervorragende thermische Eigenschaften und eine schnelle intrinsische Diode, um einen reibungslosen, effizienten Betrieb unter schwierigen Bedingungen zu gewährleisten. Die SiC-MOSFETs der Baureihe SICW0x sind in 3-Pin- und 4-Pin-Konfigurationen (Kelvin-Quelle) erhältlich. Zu den typischen Applikationen gehören Motorantriebe, Schweißgeräte, Netzteile, erneuerbare Energiesysteme, Ladeinfrastruktur, Cloud-Systeme und unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV).