Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

PJQ44611AP-AU_R2_002A1

Name: Panjit PJQ44611AP-AU_R2_002A1
Brand: Panjit
SKU: 241-PJQ4461AUR2002A1
Price: 0.6 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

241-PJQ4461AUR2002A1

Herst.- Nr.:

PJQ44611AP-AU_R2_002A1

Herst.:

Panjit

Beschreibung:

MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

PJQ44611AP-AU_R2_002A1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Panjit PJQ44611AP-AU_R2_002A1

Auf Lager: 4 260

Lagerbestand:: 4 260 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 6 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-.-- CHF

Erw. Preis:

-.-- CHF

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0.608 CHF	0.61 CHF
	0.373 CHF	3.73 CHF
	0.242 CHF	24.20 CHF
	0.185 CHF	92.50 CHF
	0.151 CHF	151.00 CHF
	0.15 CHF	375.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
	0.132 CHF	660.00 CHF
	0.124 CHF	1 240.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Panjit
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN3333-8
Transistorpolung:	P-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	13 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	84 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	18 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	31 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Panjit
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Abfallzeit:	12 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	3.1 ns
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	27 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	4.9 ns
Gewicht pro Stück:	30 mg

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

PJQ44611AP-AU_R2_002A1 Datenblatt (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

60V Automotive P-Channel MOSFETs

PANJIT 60V Automotive P-Channel MOSFETs are designed with advanced trench process technology to minimize R_DS(ON) while maximizing avalanche ruggedness and space usage. With AEC-Q101 qualification and a high junction temperature of +175°C, these MOSFETs are the optimal choice for automotive design engineers who wish to simplify circuitry while optimizing performance. PANJIT’s P-channel MOSFETs can reduce the circuit complexity of power designs. These components are available in a wide range of compact packages, including SOT-23, SOT-23 6L-1, DFN2020B-6L, DFN3333-8L, DFN5060-8L, and TO-252AA.

60V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed with advanced trench technology to minimize R_DS(ON) while maximizing avalanche ruggedness and space usage while maintaining superior switching performance. The devices feature a 200mA to 16A continuous drain current, a 1.1nC to 22nC gate charge, and 300mW to 50W power dissipation. The MOSFETs include advanced Trench Process technology and are optimized for use as relay drivers and line drivers. With AEC-Q101 qualification options and a high junction temperature of 175°C, the MOSFETs are ideal for automotive design engineers to simplify circuitry while optimizing performances.