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Menge RoHS
Lattice FPGA – Universalschaltkreis 4320 LUTs 105 IO 1.2V 5 Spd
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 360
Mult.: 360

Lattice FPGA – Universalschaltkreis Lattice MachXO2 Low Power; 4320 LUTs; 1.2V
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 260
Mult.: 260

Lattice FPGA – Universalschaltkreis 4320 LUTs 207 IO 1.2V 6 Spd
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 90
Mult.: 90

Lattice FPGA – Universalschaltkreis 4320 LUTs 279 IO 3.3V 5 Spd
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Lattice FPGA – Universalschaltkreis 4320 LUTs 105 IO 1.2V 5 Spd
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 360
Mult.: 360

Lattice FPGA – Universalschaltkreis 4320 LUTs, 151 I/O 1.2V, -4 Speed, COM
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 360
Mult.: 360

Lattice FPGA – Universalschaltkreis Lattice MachXO2 High Performance; 4320 LUTs; 2.5/3.3V
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 260
Mult.: 260

Lattice FPGA – Universalschaltkreis 4320 LUTs 207 IO 3.3V 6 Spd
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 90
Mult.: 90

Lattice FPGA – Universalschaltkreis 4320 LUTs 115 IO 1.2V 1 Spd
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay Semiconductors Gleichrichter 1A,400V,50NS,UF SURPERECT,MELF
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Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
ADLINK Technology DDR4 2400 260P 8GB SODIMM 2Rx16
ADLINK Technology Speichermodule DDR4-2400, 8GB, 1Gx64, SO-DIMM 260P, 1.2V, Rank:2, CL17, Non-ECC, OP Temp:0 85, Fix Die:No, Samsung Chip(512Mx8) Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
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Nicht auf Lager
Min.: 240
Mult.: 240

ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
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Nicht auf Lager
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
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Nicht auf Lager
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Rolle: 1 500

ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Rolle: 1 500

ADLINK Technology DDR4 2400 260P 4GB SODIMM 1Rx8
ADLINK Technology Speichermodule DDR4-2400, 4GB, 512Mx64, SO-DIMM 260P, 1.2V, Rank:1, CL17, Non-ECC, OP Temp:0 85, Fix Die:No(F-die), Samsung Chip(512Mx8) Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
ADLINK Technology DDR4 2400 260P 16GB Non ECC SODIMM
ADLINK Technology Speichermodule DDR4-2400, 16GB, 1Gx64, SO-DIMM 260P, 1.2V, Rank:2, CL17, Non-ECC, OP Temp:-40-85, Fix Die:No, Chip(1Gx8) Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
NeoCortec Netzwerkentwicklungstools NeoMesh NC2400C breakout board compatible with Adafruit Feather
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Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
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Nicht auf Lager
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Rolle: 1 500

ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Rolle: 1 500

ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Rolle: 1 500

ADLINK Technology DDR4 2400 260P 4GB non-ECC SODIMM
ADLINK Technology Speichermodule DDR4-2400, 4GB, 512x64, SO-DIMM 260P, 1.2V, Rank:1, CL17, non-ECC, OP Temp:0-85, Fix Die:No, Samsung Chip(512M x16*4 ) height:30mm Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1