Halbleiter

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ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS Nicht auf Lager
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

ADLINK Technology DDR4 2400 260P 16GB non-ECC SODIMM
ADLINK Technology Speichermodule DDR4-2400, 16GB, 2048Mx64, SO-DIMM 260P, 1.2V, Rank:2, CL17, non-ECC, OP Temp:0-85, Fix Die:No, Samsung Chip(1024M x8*16 ) height:30mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
ADLINK Technology DDR4 2400 288P 16GB ECC DIMM
ADLINK Technology Speichermodule DDR4-2666, 32GB, 4Gx72, SO-DIMM 260P, 1.2V, Rank:2, CL19, ECC, OP Temp:0-85, Samsung Fix Die:No, Chip(2Gx8) Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Diodes Incorporated ESD-Schutzdioden / TVS-Dioden Dataline Protect PP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000
Digilent Temperatursensoren für Plattenmontage J-Type Thermocouple Wire; 1M Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Digilent Temperatursensoren für Plattenmontage T-Type Thermocouple Wire; 2M Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Diodes Incorporated ESD-Schutzdioden / TVS-Dioden 4-Ch General Protection Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Digilent Schnittstelle - spezialisiert 7210-TQFP-R-160; IEEE 488.2 Controller; 44Pin LQFP; 160pcs Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 2 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
ADLINK Technology DDR4 2400 ECC 260P 4GB
ADLINK Technology Speichermodule DDR4-2400, 4GB, 512Mx72, SO-DIMM 260P, 1.2V, Rank:1, CL17, ECC, OP Temp:0 85, Fix Die:No, Samsung Chip(512Mx8) Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
ADLINK Technology DDR4 2400 ECC 260P 16GB
ADLINK Technology Speichermodule DDR4-2400, 16GB, 2Gx72, SO-DIMM 260P, 1.2V, Rank:2, CL17, ECC, OP Temp:0-85, Fix Die:No, Samsung Chip(1Gx8) Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
ADLINK Technology DDR4 2400 260P 8GB SODIMM 2Rx16
ADLINK Technology Speichermodule DDR4-2400, 8GB, 1Gx64, SO-DIMM 260P, 1.2V, Rank:2, CL17, Non-ECC, OP Temp:0 85, Fix Die:No, Samsung Chip(512Mx8) Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 500

ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

Lattice FPGA – Universalschaltkreis 4320 LUTs 275 IO 1.2V 4 Spd Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 450
Mult.: 90

Lattice FPGA – Universalschaltkreis 4320 LUTs 207 IO 1.2V 4 Spd Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 90
Mult.: 90

Lattice FPGA – Universalschaltkreis 4320 LUTs 207 IO 1.2V 2 Spd Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 119
Mult.: 119

Lattice FPGA – Universalschaltkreis 4320 LUTs 207 IO 1.2V 6 Spd Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 90
Mult.: 90

Lattice FPGA – Universalschaltkreis 4320 LUTs 275 IO 1.2V 1 Spd Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 450
Mult.: 90

Lattice FPGA – Universalschaltkreis 4320 LUTs 105 IO 1.2V 5 Spd Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 360
Mult.: 360

Lattice FPGA – Universalschaltkreis Lattice MachXO2 Low Power; 4320 LUTs; 1.2V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 260
Mult.: 260

Lattice FPGA – Universalschaltkreis 4320 LUTs 207 IO 1.2V 6 Spd Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 90
Mult.: 90

Lattice FPGA – Universalschaltkreis 4320 LUTs 279 IO 3.3V 5 Spd Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Lattice FPGA – Universalschaltkreis 4320 LUTs 105 IO 1.2V 5 Spd Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 360
Mult.: 360