STMicroelectronics MDmesh Halbleiter

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Menge RoHS
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 15 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.205 Ohm typ., 14 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.184 Ohm typ., 16 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a PowerFLAT 8
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 125 mOhm typ., 21 A MDmesh DM6 Power MOSFET in PowerFLAT 8x8 HV
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.124 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 2.8 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VHV
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650 V 0.075 Ohm 22.5 A Mdmesh
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VHV
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 1.45 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 137 Wochen
Min.: 1 800
Mult.: 1 800
Rolle: 1 800

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1 800
Mult.: 1 800
Rolle: 1 800

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshV 710V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220 package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V .0308 Ohm 11A MDmesh V MOS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V MDMesh M5
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1


STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 115 mOhm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in TO-220 package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 93 mOhm typ., 32 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 1 000

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 800V .95Ohm 6A MDmesh K5
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000


STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFETs in TO-247 package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600


STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 600 V 0.27 Ohm 13 A MDmesh(TM)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 543
Mult.: 1


STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 500V 0.13 Ohm 22A MDmesh II FET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600