JDV2S41AFS,L3M
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Herst.:
Beschreibung:
Varactor-Dioden Variable capacitance diode for electronic tuning applications
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Preis (CHF)
| Menge | Stückpreis |
Erw. Preis
|
|---|---|---|
| 1.39 CHF | 1.39 CHF | |
| 0.857 CHF | 8.57 CHF | |
| 0.567 CHF | 56.70 CHF | |
| 0.445 CHF | 222.50 CHF | |
| 0.381 CHF | 381.00 CHF | |
| 0.345 CHF | 862.50 CHF | |
| 0.306 CHF | 1 530.00 CHF | |
| 0.296 CHF | 2 960.00 CHF | |
| 0.289 CHF | 7 225.00 CHF |
Datenblatt
Application Notes
- Basics of Diodes (Absolute Maximum Ratings and Electrical Characteristics)
- Basics of Diodes (Power Losses and Thermal Design)
- Basics of Diodes (Types and Overview of Diodes)
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Precautions for using Radio-frequency semiconductor devices
Product Catalogs
- CNHTS:
- 8541590000
- CAHTS:
- 8541100090
- USHTS:
- 8541100080
- TARIC:
- 8541100000
- ECCN:
- EAR99
- Ursprungsland:
- Thailand
- Herstellungsland:
- Nicht lieferbar
- Land der Verbreitung:
- Nicht lieferbar
Schweiz
