STMicroelectronics MOSFETs

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Qualifikation Handelsname Verpackung
STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 40 V, 3.3 mOhm typ., 108 A STripFET F7 Power MOSFET i 5 207Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4 N-Channel 1 Channel 40 V 108 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 15 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 40 V, 0.85 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x 2 681Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT5x6-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 42 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 40 V, 3 mOhm typ.,105 A STripFET F7 Power MOSFET in P 5 672Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4 N-Channel 1 Channel 40 V 105 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 23.3 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 40 V, 0.9 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5 5 403Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 72 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV 2 800Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 415 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 13 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 1 797Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4 N-Channel 1 Channel 600 V 5.5 A 660 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 8.8 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape
STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 100 V, 0.005 Ohm typ., 107 A STripFET F7 Power MOSFET 2 297Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 100 V 107 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 72.5 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 40 V, 2.5 mOhm typ., 119 A STripFET F7 Power MOSFET i 4 204Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4 N-Channel 1 Channel 40 V 119 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 27.6 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
STMicroelectronics MOSFETs Automotive 60V N-Ch 12mOhm 120A F7 Power 18Auf Lager
9 000erwartet ab 12.02.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 98 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.85 Ohm typ., 4.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
3 000erwartet ab 23.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 650 V 4.5 A 1 Ohms - 25 V, 25 V 2 V 10.3 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 9 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 308 mOhms - 20 V, 20 V 3.25 V 16.8 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 30 V, 25 mOhm typ, 10 A STripFET H6 Power MOSFET in a Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 30 V 10 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 3.7 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 220 mOhm typ., 10 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 250 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 20 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 390 mOhm typ., 6.4 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4 N-Channel 1 Channel 600 V 6.4 A 490 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 12.3 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.30 Ohm typ., 8 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 350 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement MDmesh Reel