STMicroelectronics IGBTs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Qualifikation
Verpackung
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss
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380Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Max247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 160 A 625 W - 55 C + 175 C STGYA120M65DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in
Datenblatt
515Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Max247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 160 A 625 W - 55 C + 175 C STGYA120M65DF2AG AEC-Q101 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 1200 V, 75 A, high-speed H series IGBT in a Max247 long l
Datenblatt
283Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si MAX257-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 150 A 750 W - 55 C + 175 C Tube