STMicroelectronics Bipolartransistoren - BJT

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Kollektor-Basisspannung VCBO
Emitter-Basisspannung VEBO
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
STMicroelectronics Bipolartransistoren - BJT Rad-Hard 50 V, 0.8 A NPN transistor - Engineering model
Datenblatt
145Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT UB-4 NPN Single 50 V 75 V 6 V 300 mV 730 mW - 65 C + 200 C 2N2222AHR Tray
STMicroelectronics Bipolartransistoren - BJT Rad-Hard 60 V, 0.6 A PNP transistor - Engineering model
Datenblatt
21Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT UB-4 PNP Single 60 V 60 V 5 V 400 mV 730 mW - 65 C + 200 C 2N2907AHR Tray