Toshiba HF-Bipolartransistoren

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Menge RoHS ECAD Model Serie
Transistorart
Technologie
Transistorpolung
Betriebsfrequenz
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Emitter-Basisspannung VEBO
Kollektorgleichstrom
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Konfiguration
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Verpackung
Toshiba HF-Bipolartransistoren RF Bipolar Transistor .1A 900mW
Datenblatt
2 169Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

MT3S113TU Bipolar SiGe NPN 11.2 GHz 200 5.3 V 600 mV 100 mA + 150 C Single SMD/SMT UFM-3 Reel, Cut Tape
Toshiba HF-Bipolartransistoren Radio-frequency Bipolar Transistor
Datenblatt
2 865Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

2SC5108 Si Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba HF-Bipolartransistoren RF Device VHF/UHF 12V 150mW 13.5dB
Datenblatt
867Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

2SC5087 Bipolar Si NPN 8 GHz 120 12 V 3 V 80 mA - 55 C + 125 C Single SMD/SMT SMQ-4 Reel, Cut Tape, MouseReel