Ampleon MOSFET HF-Transistoren

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Transistorpolung
Technologie
Id - Drain-Gleichstrom
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Betriebsfrequenz
Verstärkung
Ausgangsleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Verpackung
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLF0910H9LS600/SOT502/REEL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 100
Mult.: 100
Rolle: 100

N-Channel LDMOS 50 V 57.5 mOhms 915 MHz 18.6 dB 600 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLF0910H9LS600/SOT502/TRAY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel LDMOS 50 V 57.5 mOhms 915 MHz 18.6 dB 600 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLF0910H9LS750P/SOT539/REEL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 100
Mult.: 100
Rolle: 100

Dual N-Channel LDMOS 50 V 90 mOhms 915 MHz 21.5 dB 750 W + 225 C SMD/SMT SOT539B-5 Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLF0910H9LS750P/SOT539/TRAY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 60
Mult.: 60

LDMOS 50 V 90 mOhms 915 MHz 21.5 dB 600 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLF13H9LS750P/SOT1483/TRAY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 60
Mult.: 60

Dual N-Channel LDMOS 50 V 90 mOhms 1.3 GHz 19 dB 750 W + 225 C SMD/SMT SOT539B-5 Tray
Ampleon MOSFET HF-Transistoren Power LDMOS Transistor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 100
Mult.: 100
Rolle: 100

N-Channel LDMOS 65 V 760 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 18.5 dB 30 W + 225 C Screw Mount SOT1135A-3 Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren Power LDMOS Transistor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 60
Mult.: 60

N-Channel LDMOS 65 V 760 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 18.5 dB 30 W + 225 C Screw Mount SOT1135A-3 Tray
Ampleon MOSFET HF-Transistoren Power LDMOS transistor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 100
Mult.: 100
Rolle: 100

N-Channel LDMOS 65 V 69 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 19 dB 140 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren Power LDMOS transistor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 60
Mult.: 60

N-Channel LDMOS 65 V 69 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 19 dB 140 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon MOSFET HF-Transistoren Power LDMOS Transistor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 100
Mult.: 100
Rolle: 100

N-Channel LDMOS 65 V 760 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 18.5 dB 30 W + 225 C SMD/SMT SOT1135B-3 Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren Power LDMOS Transistor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 60
Mult.: 60

N-Channel LDMOS 65 V 760 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 18.5 dB 30 W + 225 C SMD/SMT SOT1135B-3 Tray
Ampleon MOSFET HF-Transistoren Broadband pwr LDMOS transistor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 100
Mult.: 100
Rolle: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 140 mOhms 1.5 GHz 17.5 dB 200 W + 225 C SMD/SMT SOT1121B-5 Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLF984PS/SOT1121/TRAY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 60
Mult.: 60

Dual N-Channel LDMOS 50 V 180 mOhms 30 MHz to 860 MHz 22.5 dB 450 W + 225 C SMD/SMT SOT1121B-5 Tray
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLF989ES/SOT539/TRAY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 60
Mult.: 60

Dual N-Channel LDMOS 50 V 60 mOhms, 90 mOhms 400 MHz to 860 MHz 20 dB 1 kW + 225 C SMD/SMT SOT539BN-5 Tray
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLF989S/SOT1275/TRAY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 60
Mult.: 60

Dual N-Channel LDMOS 50 V 90 mOhms 400 MHz to 860 MHz 22.5 dB 900 W + 225 C SMD/SMT SOT539B-5 Tray
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLF989/SOT1275/TRAY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Dual N-Channel LDMOS 50 V 90 mOhms 400 MHz to 860 MHz 22.5 dB 900 W + 225 C Screw Mount SOT539A-5 Tray
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLL9G1214LS-600/SOT502/TRAY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel LDMOS 65 V 26 mOhms 1.2 GHz to 1.4 GHz 19 dB 600 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLM10D2327-40AB/SOT1462/REELDP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000

LDMOS 65 V 2.5 Hz to 2.7 Hz 31.1 dB 45.7 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-20 Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLM10D2327-40AB/SOT1462/REELDP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 500
Mult.: 500
Rolle: 500

LDMOS 65 V 2.5 Hz to 2.7 Hz 31.1 dB 45.7 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-20 Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLM7G1822S-40PBG/SOT1212/REELD
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 300
Mult.: 300
Rolle: 300

LDMOS 65 V 1.805 GHz to 2.17 GHz 33 dB 45.1 W + 150 C SMD/SMT SOT1212-3-16 Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLM8D1822S-50PBG/SOT1212/REELD
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 100
Mult.: 100
Rolle: 100

LDMOS 65 V 1.805 GHz to 2.17 GHz 28.5 dB 48.4 dBm + 150 C SMD/SMT SOT1212-3-16 Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLM9D0708-05AM/LGA-7x7/REELDP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

LDMOS 65 V 728 MHz to 821 MHz 17.8 dB 5 W + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLM9D0910-05AM/LGA-7x7/REELDP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

LDMOS 65 V 859 MHz to 960 MHz 21 dB 5 W + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLM9D1819-08AM/LGA-7x7/REELDP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

LDMOS 65 V 1.805 GHz to 1.88 GHz 30 dB 8 W + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLM9D1822-30B/SOT1462/REELDP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 500
Mult.: 500
Rolle: 500

LDMOS 65 V 1.8 GHz to 2.2 GHz 31.3 dB 45.9 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-20 Reel