Ampleon MOSFET HF-Transistoren

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Transistorpolung
Technologie
Id - Drain-Gleichstrom
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Betriebsfrequenz
Verstärkung
Ausgangsleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Verpackung
Ampleon MOSFET HF-Transistoren B10G2327N55D/PQFN/REELDP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 500
Mult.: 500
Rolle: 500

LDMOS 65 V 2.3 GHz to 2.7 GHz 31.2 dB 46.8 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-20 Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren B10G2527N10DL/LGA-7x7/REELDP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

LDMOS 65 V 2.5 GHz to 2.7 GHz 30 dB 10 W + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren B10G3336N16DL/LGA/REEL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

LDMOS 65 V 3.3 GHz to 3.6 GHz 35 dB 16 W + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren B10G3336N16DL/LGA/REEL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

LDMOS 65 V 3.3 GHz to 3.6 GHz 35 dB 16 W + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren B10G4750N12DL/LGA-7x7/REELDP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

LDMOS 65 V 4.7 GHz to 5 GHz 30 dB 12 W + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren B10H0710N40D/LGA-12x8/REEL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

LDMOS 48 V 600 MHz to 800 MHz 34 dB 46.9 dBm - 40 C + 120 C SMD/SMT LGA-34 Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren B10H0608N40D/LGA-12x8/REEL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 500
Mult.: 500
Rolle: 500

LDMOS 48 V 600 MHz to 800 MHz 34 dB 46.9 dBm - 40 C + 120 C SMD/SMT LGA-34 Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren B10H0710N40D/LGA-12x8/REEL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

LDMOS 52 V 700 MHz to 1 GHz 35 dB 47 dBm - 40 C + 120 C SMD/SMT LGA-34 Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren B11G1822N60D/PQFN-12x7/REELDP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Rolle: 1 500

LDMOS 65 V 1.8 GHz to 2.2 GHz 32 dB 48.5 dBm + 125 C SMD/SMT QFN-36 Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren B11G1822N60D/PQFN-12x7/REELDP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 300
Mult.: 300
Rolle: 300

LDMOS 65 V 1.8 GHz to 2.2 GHz 32 dB 48.5 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-36 Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Rolle: 1 500

LDMOS 65 V 2.3 GHz to 2.7 GHz 33.5 dB 49.5 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-36 Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLA9G1011L-300G/SOT502/TRAY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 60
Mult.: 60

N-Channel LDMOS 65 V 43 mOhms 1.03 GHz to 1.09 GHz 19.5 dB 300 W + 225 C Screw Mount SOT502F-3 Tray
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLA9G1011L-300/SOT502/TRAY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 60
Mult.: 60

N-Channel LDMOS 65 V 43 mOhms 1.03 GHz to 1.09 GHz 19.5 dB 300 W + 225 C Screw Mount SOT502A-3 Tray
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLA9G1011LS-300G/SOT502/TRAY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 60
Mult.: 60

N-Channel LDMOS 65 V 43 mOhms 1.03 GHz to 1.09 GHz 19.5 dB 300 W + 225 C SMD/SMT SOT502E-3 Tray
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLA9G1011LS-300/SOT502/TRAY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 60
Mult.: 60

N-Channel LDMOS 65 V 43 mOhms 1.03 GHz to 1.09 GHz 19.5 dB 300 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLA9H0912L-250G/SOT502/TRAY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 60
Mult.: 60

N-Channel LDMOS 50 V 110 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 22 dB 250 W + 225 C Screw Mount SOT502F-3 Tray
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLA9H0912L-250/SOT502/TRAY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 60
Mult.: 60

N-Channel LDMOS 50 V 110 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 22 dB 250 W + 225 C Screw Mount SOT502A-3 Tray
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLA9H0912LS-700/SOT502/TRAY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 60
Mult.: 60

N-Channel LDMOS 50 V 60 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 20 dB 700 W + 225 C Screw Mount SOT502F-3 Tray
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLA9H0912L-700/SOT502/TRAY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 60
Mult.: 60

N-Channel LDMOS 50 V 60 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 20 dB 700 W + 225 C Screw Mount SOT502A-3 Tray
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLA9H0912LS-1200PGJ/SOT539/TRAY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 100
Mult.: 100
Rolle: 100

Dual N-Channel LDMOS 50 V 60 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 19 dB 1.2 kW + 225 C SMD/SMT SOT1248C-5 Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLA9H0912LS-250/SOT502/TRAY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 60
Mult.: 60

N-Channel LDMOS 50 V 110 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 22 dB 250 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLA9H0912L-700G/SOT502/TRAY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 60
Mult.: 60

N-Channel LDMOS 50 V 60 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 20 dB 700 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLA9H0912LS-1200P/SOT539/TRAY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 60
Mult.: 60

Dual N-Channel LDMOS 50 V 60 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 19 dB 1.2 kW + 225 C SMD/SMT SOT539B-5 Tray
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLC2425M10LS250/SOT1270/TRAYDP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel LDMOS 65 V 40.5 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 14.4 dB 250 W + 225 C SMD/SMT SOT1270-1-3 Tray
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLC2425M10LS500P/SOT1250/REELD
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 100
Mult.: 100
Rolle: 100

N-Channel LDMOS 65 V 45.5 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 14.5 dB 500 W + 225 C SMD/SMT SOT1250-1-5 Reel