MOSFET HF-Transistoren

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Menge RoHS ECAD Model Transistorpolung
Technologie
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Betriebsfrequenz
Verstärkung
Ausgangsleistung
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Verpackung
Ampleon MOSFET HF-Transistoren Power LDMOS Transistor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 100
Mult.: 100
Rolle: 100

N-Channel LDMOS 65 V 760 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 18.5 dB 30 W + 225 C SMD/SMT SOT1135B-3 Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren Power LDMOS Transistor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 60
Mult.: 60

N-Channel LDMOS 65 V 760 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 18.5 dB 30 W + 225 C SMD/SMT SOT1135B-3 Tray