STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren

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Menge RoHS ECAD Model Transistorpolung
Technologie
Id - Drain-Gleichstrom
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Betriebsfrequenz
Verstärkung
Ausgangsleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Verpackung
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren POWER R.F.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50

N-Channel Si 10 A 250 V 150 MHz 21.3 dB 175 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M174 Bulk
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren POWER R.F.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50

N-Channel Si 20 A 250 V 200 MHz 29 dB 350 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M177 Bulk
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren RF Trans 200V 300W 24 dB at 30 MHz
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50

N-Channel Si 40 A 200 V 100 MHz 24 dB 300 W + 150 C SMD/SMT M177 Bulk