STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren

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Menge RoHS ECAD Model Transistorpolung
Technologie
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Betriebsfrequenz
Verstärkung
Ausgangsleistung
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Verpackung
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 160
Mult.: 160
Rolle: 160

N-Channel Si 60 V 1 Ohms 3.6 GHz 14 dB 40 W + 200 C SMD/SMT A2-3 Reel
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren 80 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 160
Mult.: 160
Rolle: 160

N-Channel Si 65 V 1 Ohms 1.625 GHz 18 dB 80 W + 200 C SMD/SMT A2-3 Reel