NXP Spannungsversorgungs-Management-ICs

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Menge RoHS Montageart
Verpackung/Gehäuse
Ausgangsspannung
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 99 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

SMD/SMT WSOIC-32
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

SMD/SMT WSOIC-32
NXP Semiconductors Gate-Treiber GD3160
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 176
Mult.: 176

SMD/SMT SOIC-32
NXP Semiconductors Gate-Treiber GD3160
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

NXP Semiconductors Gate-Treiber GD3160
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

NXP Semiconductors Gate-Treiber GD3160
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 176
Mult.: 176

SMD/SMT SOIC-32
NXP Semiconductors Gate-Treiber GD3160
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 176
Mult.: 176

SMD/SMT SOIC-32
NXP Semiconductors Gate-Treiber GD3160
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

NXP Semiconductors Gate-Treiber GD3160
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

NXP Semiconductors Gate-Treiber GD3160
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 176
Mult.: 176

SMD/SMT SOIC-32
NXP Semiconductors Gate-Treiber GD3160
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 176
Mult.: 176

SMD/SMT SOIC-32
NXP Semiconductors Gate-Treiber GD3160
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

NXP Semiconductors Gate-Treiber GD3160
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

NXP Semiconductors Gate-Treiber GD3160
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 176
Mult.: 176

SMD/SMT SOIC-32
NXP Semiconductors Gate-Treiber EV Inverter Control; IGBT & SiC GDIC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

SMD/SMT SOIC-32
NXP Semiconductors Gate-Treiber GD3160
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 176
Mult.: 176

SMD/SMT SOIC-32
NXP Semiconductors Gate-Treiber GD3160
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

NXP Semiconductors Gate-Treiber GD3160
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

NXP Semiconductors Gate-Treiber GD3160
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 176
Mult.: 176

SMD/SMT SOIC-32
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

SMD/SMT SOIC-32
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

SMD/SMT SOIC-32
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

SMD/SMT SOIC-32 25 V
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 176
Mult.: 176

SMD/SMT SOIC-32 25 V
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

SMD/SMT SOIC-32 25 V
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 176
Mult.: 176

SMD/SMT SOIC-32 25 V