SiT8008B Serie Oszillatoren von MEMS

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Ausgabeformat
Nennstrom
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Qualifikation
Serie
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2016, 25ppm, 1.8V, 22.5792MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

22.5792 MHz 25 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2016, 25ppm, 3.3V, 24.54545MHz, ST, 1k pcs T&R 8 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

2 mm x 1.6 mm 24.54545 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2016, 25ppm, 2.25V-3.63V, 3.56MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

2 mm x 1.6 mm 13.56 MHz 25 PPM 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 3.8 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2016, 50ppm, 3.3V, 36.864MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

36.864 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 7050, 20ppm, 3.3V, 27.54MHz, NC, 250 pcs T&R 12/16 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

7 mm x 5 mm 27.54 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 7050, 25ppm, 3.3V, 16.384MHz, OE, 250 pcs T&R 12/16 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

16.384 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 7050, 25ppm, 3.3V, 7.15909MHz, ST, 250 pcs T&R 12/16 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

7.15909 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 7050, 25ppm, 3.0V, 4.194304MHz, OE, 250 pcs T&R 12/16 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

4.194304 MHz 25 PPM 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2016, 50ppm, 3.3V, 12.288MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

12.288 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -20 to 70C, 3225, 50ppm, 3.3V, 58.632099MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -20 to 70C, 2016, 20ppm, 3.3V, 33.333333MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2520, 50ppm, 3.3V, 14.31818MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

14.31818 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 3225, 20ppm, 3.3V, 15.72864MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

15.72864 MHz 20 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 3225, 25ppm, 3.3V, 14.31818MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

14.31818 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 5032, 50ppm, 3.3V, 66.666667MHz, OE, 250 pcs T&R 12/16 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

66.666667 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2016, 50ppm, 3.3V, 11.2896MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

11.2896 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -20 to 70C, 2520, 25ppm, 3.3V, 98.304MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -20 to 70C, 3225, 50ppm, 3.3V, 46.977848MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -20 to 70C, 3225, 50ppm, 3.3V, 56.649758MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -20 to 70C, 5032, 50ppm, 3.3V, 12.288MHz, OE, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2520, 20ppm, 1.8V, 28.636363MHz, OE, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

28.636363 MHz 20 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2520, 20ppm, 3.3V, 47.3885MHz, OE, 3k pcs T&R 8 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

47.3885 MHz 20 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2520, 25ppm, 1.8V, 24.54545MHz, OE, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

24.54545 MHz 25 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2520, 25ppm, 3.3V, 28.63636MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

28.63636 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2520, 50ppm, 1.8V, 24.54545MHz, OE, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

24.54545 MHz 50 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B