Quarz- und MEMS-basierte PureSilicon™-Oszillatoren

Microchip Technology Quarz- und MEMS-basierte PureSilicon™-Oszillatoren sind in verschiedenen Industriestandard-Footprints erhältlich. Dieses umfangreiche Produktportfolio umfasst hochflexible Quarz- und MEMS-Einzelchip-Oszillatoren mit mehreren Ausgängen zur Unterstützung von Applikationen mit geringem Stromverbrauch und niedrigem Jitter.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS Verpackung/Gehäuse Frequenz Frequenzstabilität Ladekapazität Versorgungsspannung - Min. Versorgungsspannung - Max. Ausgabeformat Nennstrom Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Serie
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS Oscillator Low Power -40C-85C 25ppm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DFN-4 64 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS Clock Generator -40C-85C 25ppm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

DFN-4 96 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS Clock Generator -40C-85C 25ppm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DFN-4 33 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS Oscillator Low Powe -40C-105C, 10ppm Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DFN-4 33 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS Oscillator Low Power 0C-70C 50ppm Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

CDFN-4 24 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA 0 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS Oscillator Low Power -40C-85C 50ppm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

CDFN-4 10 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS Oscillator Low Power -40C-85C 50ppm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

CDFN-4 20 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS Oscillator Low Power -40C-85C 50ppm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

CDFN-4 24.576 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS Oscillator Low Power -40C-85C 50ppm Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

CDFN-4 27 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS Oscillator Low Power -40C-85C 25ppm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

CDFN-4 14.3181 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS Oscillator Low Power -40C-85C 25ppm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

CDFN-4 14.7456 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS Oscillator Low Power -40C-85C 25ppm Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

CDFN-4 16.384 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS Oscillator Low Power -40C-85C 25ppm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

CDFN-4 133.333 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS Oscillator Low Power -40C-85C 10ppm Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

CDFN-4 90 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS Oscillator Low Power -40C-105C 25ppm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

CDFN-4 14.3181 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS Oscillator Low Power -40C-105C 25ppm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

CDFN-4 87.0655 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS Oscillator Hi Perf -40C-85C, 25ppm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

VDFN-6 40 MHz 25 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 40 C + 85 C DSC1101
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS Oscillator Hi Perf -40C-85C, 25ppm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

VDFN-6 64 MHz 25 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 40 C + 85 C DSC1101
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS Oscillator Hi Perf -40C-85C, 25ppm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

VDFN-6 80 MHz 25 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 40 C + 85 C DSC1101
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS Oscillator 3.0V -40C 3.0V-40C-85C 25ppm Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

VDFN-6 27 MHz 50 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 40 C + 105 C DSC1101
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS Clock Generator -40C -40C-85C 25ppm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

CDFN-6 125 MHz 25 PPM 0 pF 2.25 V 3.63 V LVPECL 56.5 mA - 40 C + 85 C DSC1102
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS Oscillator Hi Perf -40C-85C 25ppm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

CDFN-6 25.0007 MHz 25 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 40 C + 85 C DSC1121
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS Oscillator Hi Perf -55C-125C 25ppm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

VDFN-6 40 MHz 25 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 55 C + 125 C DSC1121
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS Oscillator Hi Perf -40C-85C 25ppm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

VDFN-6 200 MHz 25 PPM 0 pF 2.25 V 3.63 V LVPECL 56.5 mA - 40 C + 85 C DSC1122
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS Oscillator Hi Perf -40C-85C 25ppm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

VDFN-6 156.257 MHz 25 PPM 2 pF 2.25 V 3.63 V LVDS 29 mA - 40 C + 85 C DSC1123