Abgeschirmte Einzelspulen-Leistungsinduktivitäten

Würth Elektronik bietet eine große Auswahl von abgeschirmten Einzelspulen-Induktivitäten. Diese Induktivitäten sind in Ausführungen mit hohem Sättigungsstrom, niedrigem Profil, niedrigem DC-Widerstand (RDC), hohe Leistungsfähigkeit, Robustheit, SMT und Standard verfügbar. Die abgeschirmten Einzelspulen-Leistungsinduktivitäten von Würth Elektronik sind häufig für den Einsatz in DC/DC-Wandlern ausgelegt und verfügen über ein robustes Design für fortschrittliche Applikationen.

Arten von Induktivitäten, Drosseln und Spulen
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS Induktivität
Abweichungstoleranz
Maximaler Gleichstrom (DC)
Montage
Maximale Betriebstemperatur
Qualifikation
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-PD 3.3uH 3.5A DCR=30mOhms AEC-Q200
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1 298Auf Lager
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3.3 uH 20 % 3.5 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-PD 820uH 210mA DCR=6.5Ohms AEC-Q200
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1 571Auf Lager
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Rolle: 1 000

820 uH 20 % 210 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-PD 1 mH 200mA DCR=9.44Ohms AEC-Q200
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1 556Auf Lager
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Rolle: 1 000

1 mH 20 % 200 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-PMCI 1008 2.2uH 3.1A 110mOhms 20%Tol AEC-Q200
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2 394Auf Lager
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Rolle: 3 000

2.2 uH 20 % 2.6 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-PD HV 7345 560uH 0.33A 3.6Ohm
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856Auf Lager
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Rolle: 1 000

560 uH 20 % 330 mA SMD/SMT + 125 C
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-PDA SMD AEC-Q200 1000uH .23A 7200mOhm
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1 000Auf Lager
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Rolle: 1 000

1 mH 20 % 230 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-PDA SMD AEC-Q200 3.3uH 6.6A 17mOhm
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799Auf Lager
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Rolle: 500

3.3 uH 20 % 6.6 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-PDA SMD AEC-Q200 22uH 4,3A 44mOhm
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551Auf Lager
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Rolle: 250

22 uH 20 % 4.3 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-TPC 2811 0.82uH 2A .053Ohm
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1 228Auf Lager
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Rolle: 1 500

820 nH 35 % 2.2 A SMD/SMT + 125 C
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-XHMI 6030 1.5uH 22A 7mOhms
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1 183Auf Lager
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1.5 uH 20 % 22 A SMD/SMT + 150 C
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-XHMI 6030 12uH 6.6A 53mOhms
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1 067Auf Lager
1 500erwartet ab 13.03.2026
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12 uH 20 % 6.6 A SMD/SMT + 150 C
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-XHMI 6030 18uH 5A 77mOhms
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1 200Auf Lager
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Rolle: 1 500

18 uH 20 % 5 A SMD/SMT + 150 C
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-XHMI 6060 1.0uH 32.3A 2.5mOhms
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384Auf Lager
800erwartet ab 27.02.2026
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Rolle: 800

1 uH 20 % 32.3 A SMD/SMT + 150 C
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-XHMI 1010 0.68uH 61.1A 0.91mOhms
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223Auf Lager
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Rolle: 300

680 nH 20 % 61.1 A SMD/SMT + 150 C
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-HCI 1uH 14A DCR=4.79mOhms AEC-Q200
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751Auf Lager
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Rolle: 800

1 uH 20 % 14 A SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – SMD WE-MAIA SMD AEC-Q200 4.7uH 1.45A 409mOhm
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1 001Auf Lager
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Rolle: 1 000

4.7 uH 20 % 1.45 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – bedrahtet WE-HCFT High Current Inductor THT 0.6 uH 85.7 A 0.21 mOhms 2520
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50Auf Lager
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600 nH 20 % Through Hole + 155 C
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – bedrahtet WE-HCFT High Current Inductor THT 1 uH 70.6 A 0.38 mOhms 2520
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56Auf Lager
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1 uH 20 % Through Hole + 155 C
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – bedrahtet WE-HCFT High Current Inductor THT 1.2 uH 85.7 A 0.21 mOhms 2520
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47Auf Lager
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1.2 uH 20 % Through Hole + 155 C
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – bedrahtet WE-HCFT High Current Inductor THT 2 uH 57.3 A 0.75 mOhms 2520
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60Auf Lager
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2 uH 20 % Through Hole + 155 C
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – bedrahtet WE-HCFT High Current Inductor THT 3.3 uH 59.9 A 0.6 mOhms 2520
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72Auf Lager
60erwartet ab 06.03.2026
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3.3 uH 20 % Through Hole + 155 C
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – bedrahtet WE-HCFT High Current Inductor THT 4.7 uH 36.7 A 1.85 mOhms 2520
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4.7 uH 20 % Through Hole + 155 C
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – bedrahtet WE-HCFT High Current Inductor THT 10 uH 36.7 A 1.85 mOhms 2520
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40erwartet ab 24.07.2026
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10 uH 20 % Through Hole + 155 C
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – bedrahtet WE-HCFT High Current Inductor THT 3.2 uH 65.6 A 0.4 mOhms 3231
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30Auf Lager
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3.2 uH 20 % Through Hole + 155 C
Wurth Elektronik Leistungsinduktivitäten – bedrahtet WE-HCFT High Current Inductor THT 4.2 uH 79.3 A 0.46 mOhms 3231
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33Auf Lager
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4.2 uH 20 % Through Hole + 155 C