Neueste Diskrete Halbleiter

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Arten von diskreten Halbleitern

Liste Bilder

Angewendete Filter:

Hersteller = Littelfuse Zurück zur Registerkarte Produkte zum Ändern Ihrer aktuellen Filter.

Littelfuse CMA160E1600HF Einzel-thyristor

02.06.2026

- Leistungsstarke 160 A, 1.600 V, verfügt über eine planare passivierte Chipstruktur in einem Aufbau PLUS247 Gehäuse.

Littelfuse SM15KPA-HRA und SM30KPA-HRA Hochzuverlässige Dioden

01.13.2026

- Schützt I/O-Schnittstellen, VCC-Bus und andere Schaltungen in Avionik-, Luftfahrt- und eVTOL-Applikationen.

Littelfuse SP432x-01WTG TVS-Dioden

01.08.2026

- Bieten eine ultradünne Kapazität, Bidirektionalität und einen hohen Schutzgrad.

Littelfuse AQ3118-02JTG TVS-Diodenarray mit niedriger Kapazität

11.12.2025

- 2-Kanal-Schutz gegen ESD und Überspannungen, Kapazität von 0,3 pF zwischen Ein- und Ausgängen und Leckstrom von 50 nA bei 18 V.

Littelfuse AQ4324-01ETG Bidirektionale TVS-Diode

10.22.2025

- Bietet hohen Schutz für elektronische Einkanalgeräte, die anfällig für zerstörerische ESD sind.

Littelfuse SZSMF6L Fahrzeug-TVS-Dioden

08.29.2025

- Schützt I/O-Schnittstellen, VCC-Bus und andere anfällige Schaltungen in Fahrzeugelektronik-Applikationen.

Littelfuse Ökosystemlösungen für vernetzte Arzneimittelverabreichungsgeräte

07.11.2025

- Breites Portfolio an Produkten, die zur Entwicklung und Verbesserung von Wirkstoffträgersystemen verwendet werden.

Littelfuse IXSJxN120R1 SiC-Leistungs-MOSFETs mit 1.200 V

06.23.2025

- Hochleistungsfähiges Bauteile entwickelt für anspruchsvolles Leistungsumwandlungs-Applikationen.

Littelfuse DFNAK3 TVS-Dioden

06.23.2025

- Bietet 3 kA Stromstoß und Einhaltung von IEC 61000-4-5 in einem kompakten Oberflächenmontagegehäuse.

Littelfuse SC1122-01ETG TVS Diode

06.04.2025

- 22 V, 60 pF, 9 A, unidirektionale diskrete TVS-Diode, die einen Universal-ESD-Schutz bietet.

Littelfuse SC1230-01UTG TVS Diode

06.04.2025

- 22 V, 60 pF, 9 A, unidirektionale diskrete TVS-Diode, die einen Universal-ESD-Schutz bietet.

Littelfuse 5.0SMDJ-FB TVS-Dioden

05.21.2025

- Speziell zum Schutz empfindlicher elektronischer Geräte vor Spannungsspitzen entwickelt.

Littelfuse Px0S3H SIDACtor-Thyristor mit hohem Stromstoß

05.02.2025

- Entwickelt für einen zuverlässigen Überspannungsschutz in Umgebungen mit hoher Belastung.

Littelfuse LX5 Empfindlicher Gate-TRIAC mit 0,5 A

04.25.2025

- Eine Baureihe bidirektionaler Halbleiterschalter, die eine direkte Schnittstelle zu Mikroprozessortreibern bietet.

Littelfuse Sxx30x SCR-Thyristoren

04.09.2025

- Für Applikationen wie z. B. Halbleiterrelais, Industrie-Elektrowerkzeuge und Hochleistungs-Motorsteuerungen ausgelegt.

Littelfuse Pxx00S3G-A SIDACtor® Schutzthyristoren

01.28.2025

- Entwickelt, um AC Stromleitungen in feindlichen Umgebungen vor Überspannungstransienten zu schützen.

Littelfuse SMF TVS-Dioden mit extrem niedriger Spannung

01.20.2025

- Entwickelt zum Schutz empfindlicher elektronischer Geräte vor durch Blitzschlag verursachten Spannungstransienten.

Littelfuse xEV-Antriebsstranglösungen

01.07.2025

- Großes Portfolio von xEV-Antriebsstranglösungen, die sich für Automotive-Umgebungen eignen.

Littelfuse TPSMB Asymmetrische TVS-Dioden

12.06.2024

- Zum Schutz von empfindlichen elektronischen Geräten gegen Spannungstransienten durch Blitzschlag ausgelegt.

Littelfuse TPSMB-L Fahrzeug TVS-Dioden

12.02.2024

- Merkmal 600 W Spitzenimpuls-Verlustleistungsfähigkeit 10/1000μs Wellenform.

Littelfuse AQ1205-01LTG Bidirektionale TVS-Diode

11.28.2024

- Mit der proprietären Silizium-Avalanche-Technologie ausgelegt und bietet einen hohen ESD-Schutz.

Littelfuse LSIC2SD065D40CC SiC-Schottky-Barriere-Dioden

11.18.2024

- Extrem kurze Schaltzeit und temperaturunabhängiges Schaltverhalten.

Littelfuse AQx-01FLTG SPA® TVS-Diodenarrays

09.30.2024

- Die proprietäre Silizium-Avalanche-Technologie schützt elektronische Geräte gegen elektrostatische Entladung.

Littelfuse SM8S TVS-Dioden zur Oberflächenmontage

08.26.2024

- Das SMTO-263-Gehäuse mit Leitungsänderungen und einem niedrigen Profil reduziert den PCB-Footprint.

Littelfuse AQ24ETH-02HTG Bidirektionale TVS-Diode

07.31.2024

- Erfüllt die OPEN Alliance 100/1000 BASE-T1 Ethernet und andere Hochgeschwindigkeits-Datennetzwerk-Applikationen.

Ansicht: 1 - 25 von 97

Filtern nach:

Littelfuse CMA160E1600HF Einzel-thyristor

02.06.2026

- Leistungsstarke 160 A, 1.600 V, verfügt über eine planare passivierte Chipstruktur in einem Aufbau PLUS247 Gehäuse.

TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules

02.05.2026

- High-efficiency and low-loss power devices designed to replace traditional diodes.

Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers

02.03.2026

- Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.

Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02.03.2026

- Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.

Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode

02.03.2026

- Offers a sharp zener voltage breakdown and a low leakage current.

Vishay Leistungsdioden aus Siliziumkarbid mit Schottky-Übergang

02.03.2026

- Bietet einen außergewöhnlichen Wirkungsgrad, Robustheit und Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Leistungselektronik-Anwendungen.

Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02.03.2026

- Designed for demanding power conversion applications

IXYS X4-Class Power MOSFETs

02.02.2026

- Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.

Qorvo QPD1014A Eingangsangepasste GaN-Transistoren

01.20.2026

- 15 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.

IXYS DP-Hochspannungsdioden mit schneller Recoveryzeit

01.20.2026

- 600 V oder 1.200 V SCHOTTKY-Dioden mit niedrigem Sperrstrom und schneller Recoveryzeit.

Qorvo QPD1004A Eingangsangepasste GaN-Transistoren

01.19.2026

- 25 W diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC HEMT, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1400 MHz betrieben werden.

Qorvo QPD1011A Eingangsangepasste GaN-Transistoren

01.19.2026

- 7 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.

Littelfuse SM15KPA-HRA und SM30KPA-HRA Hochzuverlässige Dioden

01.13.2026

- Schützt I/O-Schnittstellen, VCC-Bus und andere Schaltungen in Avionik-, Luftfahrt- und eVTOL-Applikationen.

Littelfuse SP432x-01WTG TVS-Dioden

01.08.2026

- Bieten eine ultradünne Kapazität, Bidirektionalität und einen hohen Schutzgrad.

onsemi NVBYST0D6N08X 80-V-N-Kanal Leistungs-MOSFET

12.26.2025

- Dieses Bauteil bietet einen niedrigen QRR und eine Body-Diode mit sanfter Wiederherstellung in einem TCPAK1012-Gehäuse (TopCool).

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80 V Leistungs-MOSFETs

12.23.2025

- Setzt mit einem breiten Portfolio branchenweit Maßstäbe in puncto Leistung.

Infineon Technologies CoolSiC™ Fahrzeug 750 V G2 MOSFETs

12.19.2025

- Entwickelt, um die strengen Anforderungen von Applikationen (EV) zu erfüllen.

onsemi NVMFD5877NL Dual-n-Kanal-MOSFET

12.19.2025

- Entwickelt für kompakte und effiziente Designs mit hoher thermischer Leistung.

STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN TRANSISTOR

12.04.2025

- E-Mode PowerGaN TRANSISTOR für hocheffiziente Leistungsumwandlungs- Applikationen entwickelt.

onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC-MOSFETs

12.04.2025

- Diese MOSFETs zeichnen sich durch eine geringe effektive Ausgangskapazität und eine extrem geringe elektrische Ladung am GATE aus.

Infineon Technologies 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 diskrete Transistoren

12.01.2025

- DTO247-Gehäuse, ersetzt mehrere Transistoren mit niedrigerem Strom in TO247-Gehäusen, die parallel geschaltet sind.

onsemi P-Kanal MOSFET mit niedrigem/mittlerem Spannungsbereich, Typ NTTFS007P02P8

11.25.2025

- Hergestellt mit PowerTrench-Technologie für extrem niedrige RDS(on)-Schalt-Performance und Robustheit.

onsemi FDC642P-F085 Kleinsignal-MOSFET

11.25.2025

- Bietet eine Hochleistungstrench-Technologie für extrem niedrigen RDS(on) und schnelle Schaltgeschwindigkeit.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs

11.24.2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode

11.24.2025

- Offers 6600 W peak power, fast response, and ISO-16750-2 load-dump test compliance.

Ansicht: 1 - 25 von 1223

Arten von diskreten Halbleitern

Filtern nach:

Kundenservice

Unternehmen

Ressourcen

Support