Neueste Diskrete Halbleiter

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Arten von diskreten Halbleitern

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Bourns SMLJ-R Transientenspannungsschutzdioden

11.24.2025

- Für Überspannungs- und ESD-Schutz im kompakten DO-214AB Chip-Gehäusegrößenformat (SMC) entwickelt.

Bourns SMF4C & SMF4C-Q TVS-Dioden

07.03.2025

- Schützt vor Spannungstransienten, die durch das Schalten induktiver Lasten in einer Vielzahl von elektronischen Geräten verursacht werden.

Bourns PTVS3-066C-TH Hochstrom-Leistungs-TVS-Diode

04.30.2025

- 3 kA, 8/20µs überspannungsfähige Diode, die für den Einsatz in Hochleistungs-DC-Bus-Klemmapplikationen ausgelegt ist.

Bourns PTVS1-240C-M Hochstrom-TVS-Diode

08.30.2024

- Eine bidirektionale Diode, die für Hochleistungs-DC-Bus-Schutz- und Klemmapplikationen ausgelegt ist.

Bourns Elektrifizierungslösungen

12.20.2023

- Transformatoren, Drosseln, Widerstände und andere Produkte, die für Systeme, die in der Elektrifizierung verwendet werden, ausgelegt sind.

Bourns BSD Siliziumkarbid-Schottky-Barriere-Dioden

06.26.2023

- Erhöht die Zuverlässigkeit, Schaltleistung und den Wirkungsgrad in DC/DC- und AC/DC-Wandlern.

Bourns PTVS20-015C-H Hochstrom-TVS-Diode

12.27.2022

- Bietet 20 kA, 8/20µs Ableitvermögen gemäß IEC 61000-4-5 und eine periodische Sperrspannung von 1 V.

Bourns PTVS20-015C-TH Hochstrom-PTVS-Diode

10.04.2022

- Für Hochleistungs-DC-Bus-Klemmapplikationen, Durchsteckmontage und Ableitvermögen von 20 kA, 8/20 µs.

Bourns PTVS1-0xC-H Hochstrom-TVS-Leistungsdioden

08.05.2022

- Bieten ESD-Schutz gegen Hochstromstöße in PoE-Bauteilen und Hochleistungs-DC-Bus-Applikationen.

Bourns Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode des Modells BID

08.05.2022

- IGBTs mit niedrigeren Kollektor-Emitter-Sättigungsspannungen und geringeren Schaltverlusten.

Bourns CD0201-T2.0LC TVS-Diode mit extrem niedriger Kapazität

05.24.2022

- Zum Schutz von Ultra-Hochgeschwindigkeits-Datenleitungen ausgelegt und verfügt über eine Nennkapazität von nur 0,18 pF.

Bourns Bauteile für Schaltkreisschutz

04.05.2022

- Dazu gehören rücksetzbare Sicherungen, Thermistoren, Varistoren, Gasentladungsröhren (GDTs) und mehr.

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Littelfuse CMA160E1600HF Einzel-thyristor

02.06.2026

- Leistungsstarke 160 A, 1.600 V, verfügt über eine planare passivierte Chipstruktur in einem Aufbau PLUS247 Gehäuse.

TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules

02.05.2026

- High-efficiency and low-loss power devices designed to replace traditional diodes.

Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode

02.03.2026

- Offers a sharp zener voltage breakdown and a low leakage current.

Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02.03.2026

- Designed for demanding power conversion applications

Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers

02.03.2026

- Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.

Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02.03.2026

- Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.

Vishay Leistungsdioden aus Siliziumkarbid mit Schottky-Übergang

02.03.2026

- Bietet einen außergewöhnlichen Wirkungsgrad, Robustheit und Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Leistungselektronik-Anwendungen.

IXYS X4-Class Power MOSFETs

02.02.2026

- Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.

IXYS DP-Hochspannungsdioden mit schneller Recoveryzeit

01.20.2026

- 600 V oder 1.200 V SCHOTTKY-Dioden mit niedrigem Sperrstrom und schneller Recoveryzeit.

Qorvo QPD1014A Eingangsangepasste GaN-Transistoren

01.20.2026

- 15 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.

Qorvo QPD1004A Eingangsangepasste GaN-Transistoren

01.19.2026

- 25 W diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC HEMT, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1400 MHz betrieben werden.

Qorvo QPD1011A Eingangsangepasste GaN-Transistoren

01.19.2026

- 7 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.

Littelfuse SM15KPA-HRA und SM30KPA-HRA Hochzuverlässige Dioden

01.13.2026

- Schützt I/O-Schnittstellen, VCC-Bus und andere Schaltungen in Avionik-, Luftfahrt- und eVTOL-Applikationen.

Littelfuse SP432x-01WTG TVS-Dioden

01.08.2026

- Bieten eine ultradünne Kapazität, Bidirektionalität und einen hohen Schutzgrad.

onsemi NVBYST0D6N08X 80-V-N-Kanal Leistungs-MOSFET

12.26.2025

- Dieses Bauteil bietet einen niedrigen QRR und eine Body-Diode mit sanfter Wiederherstellung in einem TCPAK1012-Gehäuse (TopCool).

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80 V Leistungs-MOSFETs

12.23.2025

- Setzt mit einem breiten Portfolio branchenweit Maßstäbe in puncto Leistung.

onsemi NVMFD5877NL Dual-n-Kanal-MOSFET

12.19.2025

- Entwickelt für kompakte und effiziente Designs mit hoher thermischer Leistung.

Infineon Technologies CoolSiC™ Fahrzeug 750 V G2 MOSFETs

12.19.2025

- Entwickelt, um die strengen Anforderungen von Applikationen (EV) zu erfüllen.

onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC-MOSFETs

12.04.2025

- Diese MOSFETs zeichnen sich durch eine geringe effektive Ausgangskapazität und eine extrem geringe elektrische Ladung am GATE aus.

STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN TRANSISTOR

12.04.2025

- E-Mode PowerGaN TRANSISTOR für hocheffiziente Leistungsumwandlungs- Applikationen entwickelt.

Infineon Technologies 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 diskrete Transistoren

12.01.2025

- DTO247-Gehäuse, ersetzt mehrere Transistoren mit niedrigerem Strom in TO247-Gehäusen, die parallel geschaltet sind.

onsemi FDC642P-F085 Kleinsignal-MOSFET

11.25.2025

- Bietet eine Hochleistungstrench-Technologie für extrem niedrigen RDS(on) und schnelle Schaltgeschwindigkeit.

onsemi P-Kanal MOSFET mit niedrigem/mittlerem Spannungsbereich, Typ NTTFS007P02P8

11.25.2025

- Hergestellt mit PowerTrench-Technologie für extrem niedrige RDS(on)-Schalt-Performance und Robustheit.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs

11.24.2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode

11.24.2025

- Offers 6600 W peak power, fast response, and ISO-16750-2 load-dump test compliance.

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