Angewendete Filter:
ROHM Semiconductor LMRx802-LB Operationsverstärker
11.24.2025
11.24.2025
Der Operationsverstärker zeichnet sich durch geringes Rauschen, eine niedrige Eingangs-Offsetspannung und einen niedrigen Eingangsruhestrom aus.
ROHM Semiconductor BM2P10xJ-Z PWM-Typ DC/DC-Wandler-ICs
11.03.2025
11.03.2025
Verfügen über einen integrierten Schalt- MOSFET von 730 V und werden direkt vom AC-Hochspannungsnetz betrieben.
ROHM Semiconductor 750 V n-Kanal-SiC-MOSFETs
10.17.2025
10.17.2025
Diese Bauteile erhöhen die Schaltfrequenz und dadurch die erforderlichen Kondensatoren, Reaktoren und andere Bauelemente verringern.
ROHM Semiconductor RD3x n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen
10.16.2025
10.16.2025
AEC-Q101-qualifizierte MOSFETs mit niedriger Durchlassspannung, schneller Recoveryzeit und hohem Ableitvermögen.
ROHM Semiconductor BM2P06xJ-Z PWM-Typ-DC/DC-Wandler-ICs
09.26.2025
09.26.2025
Für kompakte und effizient isolierte AC/DC-Power-Strip -Applikationen ausgelegt.
ROHM Semiconductor BM3G107MUV-EVK-003 Evaluierungsboard
08.27.2025
08.27.2025
Das Board wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G107MUV GaN HEMT Power Stage IC zu evaluieren und zu demonstrieren.
ROHM Semiconductor BM3G115MUV-EVK-003 Evaluierungsboard
08.27.2025
08.27.2025
Wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G115MUV GaN-HEMT-Leistungsschaltung-ICs zu evaluieren und zu demonstrieren.
ROHM Semiconductor RF202LB2S superschnelle Freilaufdiode
08.21.2025
08.21.2025
Eine superschnelle Freilaufdiode vom Typ Silizium-Epitaxie-Planar mit niedriger VF und geringen Schaltverlusten.
ROHM Semiconductor RQxAT P-Kanal-MOSFETs
08.21.2025
08.21.2025
Die Bauteile verfügen über ein Gehäuse zur Oberflächenmontage mit niedrigem On-Widerstand und sind zu 100 % Rg- und UIS-geprüft.
ROHM Semiconductor RJ1x10BBG Leistungs-MOSFETs
08.21.2025
08.21.2025
N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und einem Hochleistunggehäuse.
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700-V-N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET
08.21.2025
08.21.2025
Ein mit einer Drain-Source-Spannung von 1.700 V (VDSS) und einem Dauersenkenstrom von 3,9 A (ID) bewerteter SiC-MOSFET.
ROHM Semiconductor RNxMFH PIN-Dioden im Automobilstandard
08.21.2025
08.21.2025
Dioden im Automobilstandard mit ultrakleinem Formkörper, die für Hochfrequenzschaltungen geeignet sind.
ROHM Semiconductor RN242SM PIN-Diode
08.20.2025
08.20.2025
Bietet eine niedrige Kapazität und ein extrem ultrakleines Gehäuse, das für Hochfrequenzschaltungen geeignet ist.
ROHM Semiconductor RH7L03 60 V N-Kanal Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein Automobilstandard-MOSFET, das für VDSS von 60 V und ID von ±35 A ausgelegt und gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor BR25G-5 SPI BUS EEPROMs
08.19.2025
08.19.2025
Diese Bauteile sind 16Kbit serielle EEPROMs mit einer SPI BUS-Schnittstelle und 4 Millionen Schreibzyklen.
ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40-V-P-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
MOSFETs mit einer Drain-Source-Spannung (VDSS) von -40 V und einem Dauersenkenstrom (ID) von ±4,0 A.
ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein Automobilstandard-MOSFET, das für VDSS von -30 V und ID von ±40 A ausgelegt und gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Spannung VDSS von 100 V und einem Strom ID von ±40 A, das gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Nennspannung von -60 V VDSS und einem Nennstrom von ±36 A ID, der gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Spannung VDSS von 40 V und einem Strom ID von ±12 A, das gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor RH7L04 60 V N-Kanal Leistungs-MOSFETs
08.19.2025
08.19.2025
AEC-Q101-zugelassene MOSFETs für Fahrzeuganwendungen mit 60 V VDSS und ±40 A ID
ROHM Semiconductor RH7G04 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs
08.19.2025
08.19.2025
Bei diesen Bauteile handelt es sich um gemäß AEC-Q101 zugelassene MOSFETs mit 40 V VDSS und ±40 A IDim Automobilstandard.
ROHM Semiconductor JMZV8.2B 5-mA-Zener-Dioden
08.19.2025
08.19.2025
Die in einem kleinen Power-Mold-Gehäuse erhältlichen Bauteile sind für Applikationen zur Spannungsregelung geeignet
ROHM Semiconductor LogiCoA003-EVK-001 Evaluierungsboard
08.08.2025
08.08.2025
Entwickelt, um das Betriebsverhalten von LogiCoA™ Lösungen zu evaluieren und zu demonstrieren.
ROHM Semiconductor 2SAR579D3 1,5 A 160 V PNP-Leistungstransistor
08.06.2025
08.06.2025
Ein Leistungstransistor mit niedrigem VCE(sat); eignet sich als Niederfrequenzverstärker.
Ansicht: 1 - 25 von 245
Analog Devices Inc. LT83401/LT83402 Step-Down Regulators
02.11.2026
02.11.2026
Developed to incorporate an ultra-low-noise reference with Silent Switcher architecture.
Lattice Semiconductor CertusPro™-NX Versa Evaluation Board
02.11.2026
02.11.2026
Allows designers to investigate and experiment with the features of the CertusPro-NX FPGA.
Analog Devices Inc. EVAL-HMC994APM5 Evaluation Board
02.11.2026
02.11.2026
A 2-layer PCB fabricated from 10 mil-thick copper-clad, mounted to an aluminum heat spreader.
Analog Devices Inc. ADPL83200 Low Loss PowerPath™ Controller
02.11.2026
02.11.2026
Operates an external P-ch MOSFET to provide near-ideal diode behavior for power switchover.
Analog Devices Inc. EVAL-ADPL83200-IZ Evaluation Board
02.11.2026
02.11.2026
Board features the ADPL83200IS6, low-loss PowerPath™ controller.
Vishay SE050N6/SE080N6/SE100N6/SE120N6 SMD Rectifiers
02.10.2026
02.10.2026
These devices are available in a low-profile package with a typical height of only 0.88mm.
EAO S04 Switching Contact Blocks
02.09.2026
02.09.2026
Modern design, UL 94V-0 flammability-rated plastic construction, and ultrasonically welded housing.
NXP Semiconductors TJA1410-EVB Evaluierungsboard
02.09.2026
02.09.2026
Integriert zwei TJA1410 PMD-Transceiver und 240-µH-10BASE-T1S-Gleichtaktdrosseln.
NXP Semiconductors TJx1410 10Base-T1S PHY-Transceivers
02.06.2026
02.06.2026
Bieten energiesparende, standardkonforme Konnektivitätslösungen für Single-Pair-Ethernet-Netzwerke.
Monolithic Power Systems (MPS) MP3314A 80mA 50V Boost Converter
02.06.2026
02.06.2026
Designed to drive WLED arrays for LCD panels in virtual reality (VR) backlighting applications.
Monolithic Power Systems (MPS) MPQ4324 Synchronous Step-Down Converters
02.06.2026
02.06.2026
Highly configurable converters that support switching frequencies from 350kHz to 2.5MHz.
Littelfuse CMA160E1600HF Einzel-thyristor
02.06.2026
02.06.2026
Leistungsstarke 160 A, 1.600 V, verfügt über eine planare passivierte Chipstruktur in einem Aufbau PLUS247 Gehäuse.
Monolithic Power Systems (MPS) MP3921 Single-Port PSE Power Controller
02.06.2026
02.06.2026
This device is designed for IEEE 802.3af/at-compliant Power over Ethernet (PoE) applications.
Abracon Ultra-Low Power RTC Modules
02.06.2026
02.06.2026
Provides an embedded 32.768kHz crystal oscillator and an I2C communication interface.
Infineon Technologies XMC5000 geringe Leistung & Industrieller Mikrocontroller
02.06.2026
02.06.2026
Unterstützt einen Eingangsspannungsbereich von 2,7 V bis 5,5 V, skalierbare Verpackung bis zu 144 Pins.
Microchip Technology PIC32CM PL10 Curiosity Nano Evaluation Kit
02.05.2026
02.05.2026
Hardware platform for evaluating the PIC32CM PL10 MCU with programming and debugging capabilities.
TDK-Lambda i1R ORing-MOSFET-Module
02.05.2026
02.05.2026
Hocheffiziente und verlustarme Bauteile, die als Ersatz für herkömmliche Dioden konzipiert sind.
PUI Audio AMP1X2 & AMP2X2 Audio Amplifier Evaluation Boards
02.05.2026
02.05.2026
Offer 2W speaker amplifier evaluation boards available in mono and stereo configurations.
Diodes Incorporated AP61406Q I2C-Abwärtswandler
02.04.2026
02.04.2026
Bieten einen Eingangsspannungsbereich von 2,3 V bis 5,5 V und sind bis zu 4 A wählbar.
Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
02.03.2026
02.03.2026
Offers a sharp Zener voltage breakdown and a low leakage current.
DFRobot FireBeetle 2 ESP32-C5 Development Kit
02.03.2026
02.03.2026
Development platform includes the FireBeetle 2 ESP32-C5 microcontroller and an IO expansion shield.
Vishay Leistungsdioden aus Siliziumkarbid mit Schottky-Übergang
02.03.2026
02.03.2026
Bietet einen außergewöhnlichen Wirkungsgrad, Robustheit und Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Leistungselektronik-Anwendungen.
Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
02.03.2026
02.03.2026
Designed for demanding power conversion applications
M5Stack NanoH2 Ultra-Compact IoT Development Board
02.03.2026
02.03.2026
Powered by ESP32-H2FH4S SoC featuring secure boot and Flash encryption hardware security mechanisms.
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