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STMicroelectronics Neueste Diskrete Halbleiter

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Arten von diskreten Halbleitern

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STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN TRANSISTOR

12.04.2025

- E-Mode PowerGaN TRANSISTOR für hocheffiziente Leistungsumwandlungs- Applikationen entwickelt.

STMicroelectronics SGT070R70HTO E-Mode-PowerGaN-Transistor

11.07.2025

- Basiert auf GaN-Technologie und ist für anspruchsvolle Leistungsumwandlungs-Applikationen konzipiert.

STMicroelectronics SGT350R70GTK E-Mode PowerGaN TRANSISTOR

10.28.2025

- E-Mode PowerGaN TRANSISTOR, der für eine effiziente Leistungsumwandlung in anspruchsvollen Applikationen optimiert ist.

STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA Fahrzeug-Leistungsmodul

09.26.2025

- Bietet eine 3-Phasen 4-wire PFC -Topologie mit integriertem NTC für den OBC in Hybrid- & Elektrofahrzeugen.

STMicroelectronics M2P45M12W2-1LA Fahrzeug Leistungsmodul

09.26.2025

- Bietet eine Sixpack Topologie mit NTC für die DC/DC-Wandler Stufe des OBC in Elektrofahrzeugen.

STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600 V IGBT der Baureihe IH2

05.22.2025

- Durch Implementierung einer fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Field-Stop-Struktur entwickelt.

STMicroelectronics ESDAxWY Unidirektionaler Automotive-ESD-Schutz

01.10.2025

- TVS zum Schutz empfindlicher Elektronik in rauen Umgebungen.

STMicroelectronics TN8050H-12WL Hochtemperatur-SCR-Thyristor

01.01.2025

- Geeignet für Industrieapplikationen, die eine hohe Immunität bei niedrigerem Gatestrom erfordern.

STMicroelectronics STGSH50M120D ACEPACK SMIT IGBT mit Diode

12.24.2024

- Kombiniert zwei IGBTs und Dioden in einer Halbbrücken-Topologie.

STMicroelectronics ESDZX168B-1BF4 Bidirektionale Einzelleitungs-TVS-Diode

10.14.2024

- Das Bauteil ist zum Schutz von Datenleitungen oder anderen I/O-Anschlüssen gegen ESD-Überspannungen ausgelegt.

STMicroelectronics STTH120RQ06-M2Y Ultra-schnelles 600-V-Brückenmodul

10.08.2024

- Eignet sich für den Einsatz in Ladeapplikationen, entweder im Fahrzeug oder in einer Ladestation integriert.

STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG Automobilstandard-IGBT

09.12.2024

- Mit einem fortschrittlichen Trench-Gate-Field-Stop-Aufbau ausgelegt.

STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG Automobilstandard-IGBT

09.12.2024

- Mit einem fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Field-Stop-Aufbau ausgelegt.

STMicroelectronics ESDA5WY Unidirektionaler Automotive-ESD-Schutz

09.10.2024

- Unidirektionaler Automotive-Transientenspannungsschutz (TVS), der für raue Umgebungen ausgelegt ist.

STMicroelectronics STBR3012L2Y-TR Automotive-Hochspannungsgleichrichter

08.09.2024

- Qualitativ hochwertiges Design mit konsistent reproduzierbaren Eigenschaften und intrinsischer Robustheit.

STMicroelectronics MDmesh K6 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

07.22.2024

- 800 V, durch Zener-Diode geschützt, zu 100 % Avalanche-getestet und ideal für Sperrwandler und LED-Beleuchtung.

STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG Automobilstandard-IGBT der MS-Baureihe

07.03.2024

- 1200 V, 40 A, verlustarm, niedriger thermischer Widerstand und in einem TO-247-Gehäuse mit langer Anschlussleitung erhältlich.

STMicroelectronics STripFET F8 N-Kanal Leistungs-MOSFETs

12.01.2023

- Sie sind nach AEC-Q101 zugelassen und bieten eine umfassende Paketlösung von 30 V bis 150 V.

STMicroelectronics STGD4H60DF 600 V 4 A Hochgeschwindigkeits-IGBT der H-Baureihe

10.31.2023

- Mit einer fortschrittlichen trench-gate-field-stop-Struktur ausgelegt.

STMicroelectronics ACEPACK-DMT-32-Leistungsmodul M1F45M12W2-1LA

10.19.2023

- Entwickelt für die DC/DC-Wandlerstufe von Hybrid- und Elektrofahrzeugen.

STMicroelectronics STP80N1K1K6 N-Kanal Leistungs-MOSFET

10.01.2023

- Verwendet MDmesh K6-Technologie auf Basis von 20 Jahren Erfahrung im Bereich der Superjunction-Technologie.

STMicroelectronics SH63N65DM6AG Leistungs-MOSFET

08.18.2023

- Automotive-grade N-channel MDmesh DM6 half‑Brückentopologie-Leistungs-MOSFET mit 650 V Sperrspannung.

STMicroelectronics STPSTxH100/Y Trench-Leistungs-Schottky-Dioden

06.29.2023

- Erfüllt die Effizienzanforderungen bei hohen Schaltfrequenzen.

STMicroelectronics STL120N10F8 100-V-n-Kanal-STripFET-MOSFET

05.08.2023

- Das Bauelement nutzt die STripFET-F8-Technologie von ST, die eine verbesserte Trench-Gate-Struktur aufweist.

STMicroelectronics LEO (Low Earth Orbit) Rad-Hard-ICs

04.04.2023

- Kombination aus Kosteneffizienz, Strahlenhärte, Qualitätssicherung und Liefermenge.

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EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

03.05.2026

- Handles tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous.

EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

03.05.2026

- Engineered for high-frequency DC-DC applications and 48V BLDC motor drives.

EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

03.05.2026

- Offers a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management.

Littelfuse Sx4340L TVS-Diodenarrays

03.05.2026

- Bietet eine extrem niedrige Kapazität von 0,55 pF in einem platzsparenden SOD882-Gehäuse.

Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS ™ 7 80-V-Leistungs-MOSFETs

03.05.2026

- Normalstufige 80-V-N-Kanal-Bauteile, normale Stufe, mit überlegenem thermischem Widerstand in einem PG‐TDSON‐8-Gehäuse.

Diotec Semiconductor BAT54WT Schottky Diode

03.03.2026

- Designed for high-speed switching, low junction capacitance, and low leakage current.

Diotec Semiconductor SB1100 Schottky Diode

03.03.2026

- Offer low voltage forward drop making it suitable for output rectification and polarity protection.

Diotec Semiconductor SL1MR13 Standard Recovery Rectifier

03.03.2026

- Features 1000V repetitive peak reverse voltage and 1A maximum average forward rectified current.

Diotec Semiconductor GBI40M-T Single Phase Bridge Rectifier

03.03.2026

- Equipped with four diodes in a bridge configuration and protected against reverse assembly.

Vishay 3KDFN12CA bis 3KDFN100CA TVS-Dioden

03.02.2026

- Die Transzorb® TVS-Dioden wurden zum Schutz empfindlicher Elektronik vor Spannungsspitzen entwickelt.

Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches

02.26.2026

- Designed to block voltage in both directions using unique substrate clamp technology.

Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs

02.26.2026

- Enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems.

Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches

02.26.2026

- Switches are designed to block voltage in both directions, with unique substrate-clamp technology.

Littelfuse SC3402-02ETG ESD-Schutzdiode

02.23.2026

- Eine ESD-Schutzdiode mit extrem niedriger Kapazität, die zum Schutz von Hochgeschwindigkeits-Datenschnittstellen entwickelt wurde.

Taiwan Semiconductor TESDA1L2B17P1Q1 ESD Protection Diode

02.19.2026

- Safeguards power interfaces, control lines, or low‑speed data lines within electronic systems.

Semtech TDS5311P SurgeSwitch™ 1-Line 53 V EOS-Schutz-IC

02.18.2026

- Bietet Hochenergie-EOS-Schutz mit hervorragenden Temperatur- und Klemmeigenschaften.

Vishay SE45124/SE50124 SMD-Hochspannungs-Gleichrichter

02.17.2026

- Diese Bauteile zeichnen sich durch eine hervorragende Wärmeableitung und eine hohe Stoßstrombelastbarkeit aus.

Vishay KBPE0480 Single-In-Line-Brückengleichrichter

02.16.2026

- Diese Bauteile zeichnen sich durch einen niedrigen Durchlass-Spannungsabfall aus und sind im KBP-Gehäuse erhältlich.

Vishay SE050N6/SE080N6/SE100N6/SE120N6 SMD-Gleichrichter

02.10.2026

- Diese Bauteile sind in einem Flachgehäuse mit einer typischen Höhe von nur 0,88 mm erhältlich.

Littelfuse CMA160E1600HF Einzel-thyristor

02.06.2026

- Hohes Betriebsverhalten 160 A, 1.600 V Gerät mit einem planar passivierten Chip-Aufbau im PLUS247 Gehäuse.

TDK-Lambda i1R ORing-MOSFET-Module

02.05.2026

- Hocheffiziente und verlustarme Bauteile, die als Ersatz für herkömmliche Dioden konzipiert sind.

Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02.03.2026

- Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.

Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02.03.2026

- Designed for demanding power conversion applications

Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode

02.03.2026

- Offers a sharp Zener voltage breakdown and a low leakage current.

Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers

02.03.2026

- Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.

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