Arten von Transistoren
Angewendete Filter:
Micro Commercial Components (MCC) MCG4D8N04Y 40V Low RDS(on) N-Channel MOSFETs
04.16.2025
04.16.2025
Use Split Gate Trench power MOSFET technology and are available in industrial and automotive grade.
Micro Commercial Components (MCC) 600V MSJL120N60FH MOSFET
02.12.2025
02.12.2025
Uses superjunction technology and a FRED body diode to facilitate high-speed switching and recovery.
Micro Commercial Components (MCC) 40V MCACLF320N04Y N-Channel Power MOSFET
02.12.2025
02.12.2025
High efficiency and reliable MOSFET designed for diverse high-power applications.
Micro Commercial Components (MCC) MCWx 600V N-Channel Power MOSFETs
12.30.2024
12.30.2024
Three advanced 600V components, engineered for low losses, fast switching, and high efficiency.
Micro Commercial Components (MCC) MIS80N120NT1YHE3 1.200-V-Trench-Field-Stop-IGBT
11.28.2024
11.28.2024
Made for efficiency with low saturated VCE and minimal switching losses.
Micro Commercial Components (MCC) MCTL2D0N10YHR 100 V n-Kanal-MOSFET
11.25.2024
11.25.2024
Wide SOA and low RDS(on) efficient and reliable solution for linear mode operation.
Micro Commercial Components (MCC) 600 V n-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFETs
10.04.2024
10.04.2024
Verfügen über einen niedrigen On-Widerstand, einen geringen Leitungsverlust und ein sanftes Schalten mit schneller Sperrverzögerungsdiode.
Micro Commercial Components (MCC) MCU1K4N95SH n-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFET
10.03.2024
10.03.2024
Verfügt über eine niedrige Gate-Drain-Ladung, reduziert Leitungsverluste und verstärkt den Gesamtwirkungsgrad.
Micro Commercial Components (MCC) MCGL2D1N03YL n-Kanal-MOSFET
09.04.2024
09.04.2024
30-V-Leistungs-MOSFET, der für eine gute thermische Leistungsfähigkeit mit geringen Leistungsverlusten ausgelegt ist.
Micro Commercial Components (MCC) 600 V n-Kanal-MOSFETs
09.03.2024
09.03.2024
Die Super-Junction-Technologie (SJ) verfügt über einen niedrigen RDS(on) und eine integrierte schnelle Freilaufdiode.
Micro Commercial Components (MCC) SICWx Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs
09.03.2024
09.03.2024
650 V SiC-MOSFETs mit Hochgeschwindigkeits-Schaltfähigkeit und sind in einem TO-247-Gehäuse verfügbar.
Micro Commercial Components (MCC) SICW0x 1.200-V-SiC-n-Kanal-MOSFETs
09.03.2024
09.03.2024
Verstärken die Leistungsfähigkeit in vielseitigen TO-247-4-, TO-247-4L- und TO-247AB-Gehäusen.
Micro Commercial Components (MCC) MCP2D6N10Y 100-V-n-Kanal-MOSFET
08.28.2024
08.28.2024
100-V-n-Kanal-MOSFET, der für Hochleistungsschaltungen ausgelegt ist.
Micro Commercial Components (MCC) MCG50P03B 30 V p-Kanal-MOSFET
08.19.2024
08.19.2024
Für platzbeschränkte Applikationen, die eine zuverlässige Leistung erfordern, ausgelegt.
Micro Commercial Components (MCC) MCTL150N06YHE3 Automobilstandard 60 V-n-Kanal-MOSFET
08.12.2024
08.12.2024
AEC-Q101-qualifiziert und zur Neudefinition von Energieeffizienz und Zuverlässigkeit in Fahrzeuganwendungen ausgelegt.
Micro Commercial Components (MCC) Battery Management System (BMS)
08.01.2024
08.01.2024
Delivers the precision, safety, and efficiency required to support today’s electric vehicles (EVs).
Micro Commercial Components (MCC) Electric Power Steering (EPS) Solutions
08.01.2024
08.01.2024
Support today’s vehicle systems with components engineered for precise control, safety, and comfort.
Micro Commercial Components (MCC) Auto Seat Control Solutions
08.01.2024
08.01.2024
Delivers the compact, efficient & robust performance needed to power modern vehicle seating systems.
Micro Commercial Components (MCC) DC Fast Charging Solutions
08.01.2024
08.01.2024
Supports EVs with high-performance components designed for speed, safety, and system efficiency.
Micro Commercial Components (MCC) Automotive Front & Rear LED Lighting Solutions
08.01.2024
08.01.2024
These lighting systems improve driver visibility, passenger safety, and vehicle styling.
Micro Commercial Components (MCC) MACx Logikpegel-n-Kanal-MOSFETs von 30 V bis 60 V
07.11.2024
07.11.2024
Verfügen über die Split-Gate-Trench-MOSFET-Technologie (SGT), die in einem DFN5060-Gehäuse verfügbar ist.
Micro Commercial Components (MCC) MCACLS N-Channel Dual-Side Cooling MOSFETs
06.24.2024
06.24.2024
Feature superior thermal performance with 40V drain-source voltage and are AEC-Q101 qualified.
Micro Commercial Components (MCC) 100V 7.5mΩ N-Channel MOSFETs
06.04.2024
06.04.2024
Offers split-gate trench (SGT) technology, 100V capacity, and an on-resistance of only 7.5mΩ.
Micro Commercial Components (MCC) MCB2D & MCU2D 40V N-channel MOSFETs
05.31.2024
05.31.2024
High-density cell design with 2.8mΩ low on-resistance ensures efficient automotive power management.
Micro Commercial Components (MCC) MCB70N15YHE3 AEC-Q101 Qualified N-Channel MOSFET
05.22.2024
05.22.2024
AEC-Q101 qualified N-channel MOSFET that utilizes split gate trench MOSFET technology.
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TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules
02.05.2026
02.05.2026
High-efficiency and low-loss power devices designed to replace traditional diodes.
IXYS X4-Class Power MOSFETs
02.02.2026
02.02.2026
Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.
Qorvo QPD1014A Eingangsangepasste GaN-Transistoren
01.20.2026
01.20.2026
15 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.
Qorvo QPD1011A Eingangsangepasste GaN-Transistoren
01.19.2026
01.19.2026
7 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.
Qorvo QPD1004A Eingangsangepasste GaN-Transistoren
01.19.2026
01.19.2026
25 W diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC HEMT, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1400 MHz betrieben werden.
onsemi NVBYST0D6N08X 80-V-N-Kanal Leistungs-MOSFET
12.26.2025
12.26.2025
Dieses Bauteil bietet einen niedrigen QRR und eine Body-Diode mit sanfter Wiederherstellung in einem TCPAK1012-Gehäuse (TopCool).
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80 V Leistungs-MOSFETs
12.23.2025
12.23.2025
Setzt mit einem breiten Portfolio branchenweit Maßstäbe in puncto Leistung.
onsemi NVMFD5877NL Dual-n-Kanal-MOSFET
12.19.2025
12.19.2025
Entwickelt für kompakte und effiziente Designs mit hoher thermischer Leistung.
Infineon Technologies CoolSiC™ Fahrzeug 750 V G2 MOSFETs
12.19.2025
12.19.2025
Entwickelt, um die strengen Anforderungen von Applikationen (EV) zu erfüllen.
STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN TRANSISTOR
12.04.2025
12.04.2025
E-Mode PowerGaN TRANSISTOR für hocheffiziente Leistungsumwandlungs- Applikationen entwickelt.
onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC-MOSFETs
12.04.2025
12.04.2025
Diese MOSFETs zeichnen sich durch eine geringe effektive Ausgangskapazität und eine extrem geringe elektrische Ladung am GATE aus.
Infineon Technologies 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 diskrete Transistoren
12.01.2025
12.01.2025
DTO247-Gehäuse, ersetzt mehrere Transistoren mit niedrigerem Strom in TO247-Gehäusen, die parallel geschaltet sind.
onsemi FDC642P-F085 Kleinsignal-MOSFET
11.25.2025
11.25.2025
Bietet eine Hochleistungstrench-Technologie für extrem niedrigen RDS(on) und schnelle Schaltgeschwindigkeit.
onsemi P-Kanal MOSFET mit niedrigem/mittlerem Spannungsbereich, Typ NTTFS007P02P8
11.25.2025
11.25.2025
Hergestellt mit PowerTrench-Technologie für extrem niedrige RDS(on)-Schalt-Performance und Robustheit.
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
11.24.2025
11.24.2025
Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
onsemi NVD5867NL Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
11.20.2025
11.20.2025
Das Bauteil verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 60 V, einen Drain-Source-On-Widerstand von 39 mΩ und ist gemäß AEC-Q101 zugelassen.
Central Semiconductor 1700 V n-Kanal-MOSFETs aus Siliziumkarbid (SiC)
11.20.2025
11.20.2025
These MOSFETS are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications.
onsemi NVD6824NL Einzel-n-Kanal-MOSFETs
11.20.2025
11.20.2025
Die Bauteile bieten einen niedrigen RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten sowie eine hohe Strombelastbarkeit.
onsemi AFGB30T65RQDN IGBT
11.19.2025
11.19.2025
Bietet eine hohe Gütezahl bei geringen Leitungs- und Schaltverlusten.
onsemi NVMFS5832NL Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
11.19.2025
11.19.2025
Hochleistungs-MOSFET für Niederspannungsanwendungen, die eine effiziente Leistungsschaltung erfordern.
onsemi NVMFS5830NL Einzel-n-Kanal-Leistungs-MOSFET
11.19.2025
11.19.2025
Hocheffizienter Einzel-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, entwickelt für anspruchsvolle Leistungsmanagementapplikationen.
STMicroelectronics SGT070R70HTO E-Mode-PowerGaN-Transistor
11.07.2025
11.07.2025
Basiert auf GaN-Technologie und ist für anspruchsvolle Leistungsumwandlungs-Applikationen konzipiert.
Diodes Incorporated 2N7002 n-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistoren
10.31.2025
10.31.2025
Bietet schnelles Schaltverhalten mit niedriger Gate-Ladung und maximaler Drain-Source-Spannung von 60 V.
Comchip Technology AMMBT2907AM PNP Automotive Small Signal Transistor
10.31.2025
10.31.2025
The device has a -60V collector-base voltage rating & a -600mA collector current-continuous rating.
Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW Dual-n-Kanal-E-Mode-MOSFET
10.31.2025
10.31.2025
Integriert zwei MOSFETs in einem einzigen PowerDI®-Gehäuse mit den Abmessungen von 5 mm x 6 mm und hervorragendem Betriebsverhalten.
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