Ultime novità per Semiconduttori discreti

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Tipi di Semiconduttori discreti

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Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

06.18.2026

- Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.

Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches

02.26.2026

- Switches are designed to block voltage in both directions, with unique substrate-clamp technology.

Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs

02.26.2026

- Enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems.

Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches

02.26.2026

- Designed to block voltage in both directions using unique substrate clamp technology.

Navitas Semiconductor SiCPAK™ F/G 1200V High-Power Modules

02.20.2025

- Robust, high-voltage SiC MOSFETs, critical for reliable, harsh-environment, high-power applications.

Navitas Semiconductor 650V Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs

09.06.2024

- Ideal for AI data center power supplies, EV charging, energy storage systems, and solar solutions.

Navitas Semiconductor 1200V Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs

09.03.2024

- Enable 22kW, 800V bi-directional on-board chargers for Electric Vehicles (EVs).

Navitas Semiconductor Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs

09.03.2024

- Developed using a proprietary trench-assisted planar technology for high-speed performance.

Navitas Semiconductor 650V SiC Schottky MPS™ Diodes

09.03.2024

- Combine excellent forward and switching characteristics with best-in-class thermal conductivity.

Navitas Semiconductor CI di alimentazione GaNFast™

03.01.2023

- Presentano un gate drive integrato, ingressi VCC e PWM ad ampia portata e protezione ESD da 2 kV interna.

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Diotec Semiconductor SKL12-AQ SMD Schottky Barrier Rectifier Diode

08.14.2026

- Features a low forward voltage drop in a low-profile package.

Diotec Semiconductor P6KE47CA-AQ Transient Voltage Suppressor Diode

08.14.2026

- Provide reliable protection against transient voltage spikes, ESD, and other overvoltage events.

Diotec Semiconductor ESD3B36WS-AQ ESD Protection Diode

08.14.2026

- Features high peak-pulse power and bidirectional clamping.

Nexperia Raddrizzatori di recupero DPAK da 400 V/650 V

08.12.2026

- Raddrizzatori di recupero DPAK iperveloci e ultraveloci per la conversione di potenza ad alta tensione.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET

08.12.2026

- Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT1D5R10MEA

08.11.2026

- Offre perdite di conduzione estremamente basse, elevata capacità di corrente e funzionamento a commutazione ultra-veloce.

STMicroelectronics MOSFET di potenza a canale N STH4N150-2AG

08.10.2026

- Progettato per garantire un elevato livello di tensione e robustezza per il applicazioni per il settore automobilistico.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT3D5R10MEB

08.10.2026

- Progettato per applicazioni di commutazione ad alta efficienza e alta potenza.

Texas Instruments Diodi di protezione ESD ESD2CANFD24W-Q1

08.04.2026

- Diodi di protezione ESD per le reti Automotive CAN, CAN FD, CAN SIC e CAN XL.

onsemi Transistor digitali EMD4DXV6 (BRT)

07.30.2026

- Progettati per sostituire un singolo dispositivo e la sua rete di polarizzione esterna a resistore.

onsemi MOSFET a canale N NVNJWS1K6N061L

07.30.2026

- Offre una bassa RDS(on) e una bassa tensione di soglia del gate e una protezione ESD integrata.

ROHM Semiconductor MOSFET Super giunzione (SJ) da 600 V

07.21.2026

- Opzioni di package compatte e a basso profilo che offrono un'eccellente dissipazione del calore.

IXYS Diodo raddrizzatore di uso generale DK610S3RP 1600 V

07.20.2026

- Raddrizzatore a basso ingombro, ideale per l'assemblaggio automatizzato e adatto per applicazioni di controllo di fase CC.

IXYS Raddrizzatore DK010S3ARP da 1000 V e 10 A

07.20.2026

- Presenta giunzioni passivate in vetro per la stabilità potenziata ed è assemblato in un package DO-214AB.

onsemi FET GaN GaNEXUS™

07.08.2026

- Proprietà materiali Wide-bandgap per bassa carica di gate e di uscita, commutazione rapida ed efficienza migliorata

Bourns Diodi TVS a montaggio superficiale CDDFN2

07.07.2026

- Protezione da ESD, EFT e sovratensione per le porte esterne dei dispositivi elettronici, limitando i danni critici.

Semtech Diodo TVS RCLAMP2891PQ

06.30.2026

- Diodo TVS 1-line da 28 V a bassissima capacità elettrica, protegge le linee di segnale ad alta velocità da scarica di elettricità statica (ESD) e sovraccarico elettrico (EOS).

Diotec Semiconductor SI02C120SMA Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode

06.29.2026

- Offers a repetitive reverse voltage rating of 1200V and a forward current capability of 2A.

Bourns Diodi TVS di grado automobilistico CDSOD323-T24LC-Q

06.26.2026

- Diodi TVS bidirezionali per il settore automobilistico in un package SOD-323 compatto.

Littelfuse Matrici di diodi TVS SPA

06.26.2026

- Matrici di diodi TVS per ESD, EFT e protezione da sovratensione attraverso le interfacce dati e di alimentazione.

Bourns Diodi TVS CDSOD323-TxxSC-Q

06.25.2026

- Offrono una selezione di opzioni di tensione da 3 V a 36 V in configurazione bidirezionale.

Diodes Incorporated Diodo TVS bidirezionale D3V3ZF1BD2CSP

06.22.2026

- Dispositivo a bassa capacità progettato specificamente per proteggere le linee differenziali ad alta velocità.

Vishay MOSFET a canale N MXP075 MaxSiC® da 750 V

06.19.2026

- Presenta una tensione drain-source di 750 V, una velocità di commutazione elevata e un tempo di tenuta a cortocircuito di 3μs.

Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

06.18.2026

- Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.

Infineon Technologies Moduli EasyPACK™ S

06.12.2026

- Conversione di potenza efficiente in un package compatto e facile da integrare, progettato per i moderni progetti di alimentazione.

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