Angewendete Filter:
ROHM Semiconductor Hochdichte SiC-Leistungsmodule
04.10.2026
04.10.2026
Die TRCDRIVE-Packung™, DOT-247- und HSDIP20-Gehäuse tragen zur leistungsstarken Leistungsumwandlung bei.
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ mit geformten Modulen
03.17.2026
03.17.2026
Mit 1.200 V Nennspannung in einem 41,6 mm × 52,5 mm Gehäuse und integrierten SiC-MOSFETs der 4. Generation.
ROHM Semiconductor LMRx802-LB Operationsverstärker
11.24.2025
11.24.2025
Der Operationsverstärker zeichnet sich durch geringes Rauschen, eine niedrige Eingangs-Offsetspannung und einen niedrigen Eingangsruhestrom aus.
ROHM Semiconductor BM2P10xJ-Z PWM-Typ DC/DC-Wandler-ICs
11.03.2025
11.03.2025
Verfügen über einen integrierten Schalt- MOSFET von 730 V und werden direkt vom AC-Hochspannungsnetz betrieben.
ROHM Semiconductor 750 V n-Kanal-SiC-MOSFETs
10.17.2025
10.17.2025
Diese Bauteile erhöhen die Schaltfrequenz und dadurch die erforderlichen Kondensatoren, Reaktoren und andere Bauelemente verringern.
ROHM Semiconductor RD3x n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen
10.16.2025
10.16.2025
AEC-Q101-qualifizierte MOSFETs mit niedriger Durchlassspannung, schneller Recoveryzeit und hohem Ableitvermögen.
ROHM Semiconductor BM2P06xJ-Z PWM-Typ-DC/DC-Wandler-ICs
09.26.2025
09.26.2025
Für kompakte und effizient isolierte AC/DC-Power-Strip -Applikationen ausgelegt.
ROHM Semiconductor BM3G115MUV-EVK-003 Evaluierungsboard
08.27.2025
08.27.2025
Wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G115MUV GaN-HEMT-Leistungsschaltung-ICs zu evaluieren und zu demonstrieren.
ROHM Semiconductor BM3G107MUV-EVK-003 Evaluierungsboard
08.27.2025
08.27.2025
Das Board wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G107MUV GaN HEMT Power Stage IC zu evaluieren und zu demonstrieren.
ROHM Semiconductor RQxAT P-Kanal-MOSFETs
08.21.2025
08.21.2025
Die Bauteile verfügen über ein Gehäuse zur Oberflächenmontage mit niedrigem On-Widerstand und sind zu 100 % Rg- und UIS-geprüft.
ROHM Semiconductor RJ1x10BBG Leistungs-MOSFETs
08.21.2025
08.21.2025
N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und einem Hochleistunggehäuse.
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700-V-N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET
08.21.2025
08.21.2025
Ein mit einer Drain-Source-Spannung von 1.700 V (VDSS) und einem Dauersenkenstrom von 3,9 A (ID) bewerteter SiC-MOSFET.
ROHM Semiconductor RF202LB2S superschnelle Freilaufdiode
08.21.2025
08.21.2025
Eine superschnelle Freilaufdiode vom Typ Silizium-Epitaxie-Planar mit niedriger VF und geringen Schaltverlusten.
ROHM Semiconductor RNxMFH PIN-Dioden im Automobilstandard
08.21.2025
08.21.2025
Dioden im Automobilstandard mit ultrakleinem Formkörper, die für Hochfrequenzschaltungen geeignet sind.
ROHM Semiconductor RN242SM PIN-Diode
08.20.2025
08.20.2025
Bietet eine niedrige Kapazität und ein extrem ultrakleines Gehäuse, das für Hochfrequenzschaltungen geeignet ist.
ROHM Semiconductor RH7L03 60 V N-Kanal Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein Automobilstandard-MOSFET, das für VDSS von 60 V und ID von ±35 A ausgelegt und gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein Automobilstandard-MOSFET, das für VDSS von -30 V und ID von ±40 A ausgelegt und gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40-V-P-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
MOSFETs mit einer Drain-Source-Spannung (VDSS) von -40 V und einem Dauersenkenstrom (ID) von ±4,0 A.
ROHM Semiconductor RH7G04 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs
08.19.2025
08.19.2025
Bei diesen Bauteile handelt es sich um gemäß AEC-Q101 zugelassene MOSFETs mit 40 V VDSS und ±40 A IDim Automobilstandard.
ROHM Semiconductor BR25G-5 SPI BUS EEPROMs
08.19.2025
08.19.2025
Diese Bauteile sind 16Kbit serielle EEPROMs mit einer SPI BUS-Schnittstelle und 4 Millionen Schreibzyklen.
ROHM Semiconductor RH7L04 60 V N-Kanal Leistungs-MOSFETs
08.19.2025
08.19.2025
AEC-Q101-zugelassene MOSFETs für Fahrzeuganwendungen mit 60 V VDSS und ±40 A ID
ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Spannung VDSS von 100 V und einem Strom ID von ±40 A, das gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Spannung VDSS von 40 V und einem Strom ID von ±12 A, das gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Nennspannung von -60 V VDSS und einem Nennstrom von ±36 A ID, der gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor JMZV8.2B 5-mA-Zener-Dioden
08.19.2025
08.19.2025
Die in einem kleinen Power-Mold-Gehäuse erhältlichen Bauteile sind für Applikationen zur Spannungsregelung geeignet
Ansicht: 1 - 25 von 224
Ezurio Veda™ IF913 Development Kit
06.17.2026
06.17.2026
Designed for the evaluation of the Veda™ IF913 Wi-Fi® 6E + Bluetooth® LE 5.4 modules.
Diodes Incorporated PI6CG33A06 6-Output PCIe® Clock Generator
06.16.2026
06.16.2026
An ultra-low jitter clock generator designed to meet the demands of the PCIe 7.0 specification.
Mikroe IR Sense 7 Click
06.15.2026
06.15.2026
Non-contact IR temperature sensing for precision thermal monitoring systems.
Mikroe Pressure 25 Click
06.15.2026
06.15.2026
High-res pressure & temperature sensing for barometers & nav systems based on the PSD0401120 sensor.
Mikroe HVAC 2 Click
06.15.2026
06.15.2026
Indoor air quality monitoring for smart HVAC and connected building systems.
Alif Semiconductor DK-8 Ensemble E8 Development Kit
06.15.2026
06.15.2026
Brings all device signals to easily accessible pins for power & performance profiling, prototyping.
Xsens Sirius RTK GNSS/INS Development Kits
06.12.2026
06.12.2026
Designed for centimeter-level positioning and orientation in the most challenging environments.
STMicroelectronics EVLSTGAP3S3IF Halbbrücken-Evaluierungsboard
06.12.2026
06.12.2026
Dieses Evaluierungsboard dient zur Evaluierung des isolierten Single-Gate-Treibers STGAP3S3IF.
Infineon Technologies EasyPACK™ S-Module
06.12.2026
06.12.2026
Effiziente Leistungsumwandlung in einem kompakten, einfach zu integrierenden Gehäuse, das für moderne Leistungsdesigns ausgelegt ist.
u-blox EVK-ANNA-B5 Evaluierungskits
06.12.2026
06.12.2026
Evaluierungskit für eigenständige BLUETOOTH®-LE-Module ANNA-B5.
Microchip Technology PIC18F56Q35 Curiosity Nano Evaluierungskit
06.12.2026
06.12.2026
Kompaktes Prototyping mit on-board -Debugging und schnellem CLB-Zugriff für den PIC18F56Q35 MCU.
Infineon Technologies CYT6BJ TRAVEO™ T2G 32-Bit-MCUs für Fahrzeuge
06.12.2026
06.12.2026
Für Fahrzeugelektronik mit robuster Verarbeitungsleistung und zuverlässiger Netzwerkverbindung
Microchip Technology PIC18F-Q35 Mikrocontroller
06.12.2026
06.12.2026
Eine skalierbare 8-Bit- MCU- Plattform für eingebettete Designs, die eine flexible Peripherieintegration erfordern.
Particle Muon Developer Kit
06.12.2026
06.12.2026
Combines the M404MEA M-SoM & MUONCB board in a dev platform designed for easy prototyping.
STMicroelectronics EVLSTGAP3S3S Halbbrücken-Evaluierungsboard
06.12.2026
06.12.2026
Dieses Evaluierungsboard dient zur Evaluierung des isolierten Single-Gate-Treibers STGAP3S3S.
Diodes Incorporated AP22975AQ Power Switch ICs
06.10.2026
06.10.2026
Single-channel 6V/6A low RON load switches with adjustable soft-start.
Diodes Incorporated PI3DPX1225AZLBEX ReDriver
06.10.2026
06.10.2026
13.5Gbps USB Type-C® DP2.1/USB3 6:4 crossbar linear redriver with low equalizer option.
Diodes Incorporated APK43070Q Synchroner Einzelchip-Abwärtsregler
06.09.2026
06.09.2026
Regler mit einer USB Type-C® Power Delivery (PD3.1) Quelle.
Nexperia NPS3005A Einkanal-Lastschalter
06.09.2026
06.09.2026
Arbeitet in einem Eingangsspannungsbereich von 0,5 V bis 5,5 V und umfasst einen einstellbaren Soft-Start.
Nexperia NEVB-NPS3005A/NEVB-NPS3005B Evaluierungsboards
06.09.2026
06.09.2026
Spezielle Leiterplatten (PCBs) mit den Lastschalter-ICs NPS3005A oder NPS3005B.
Espressif Systems ESP32-P4X-EYE Vision Development Board
06.05.2026
06.05.2026
This development board is based on the ESP32-P4 chip and mainly targets camera applications.
M5Stack Atom-Matrix v1.1 IMU Sensor
06.05.2026
06.05.2026
Improves attitude detection accuracy and response speed compared to the previous generation.
MediaTek Genio 420 GenAI-fähige IoT-Plattform
06.04.2026
06.04.2026
Für eingebettete Applikationen, die eine zuverlässige und stromsparende Implementierung von Edge-KI und GenAI erfordern.
Infineon Technologies REF_11KW_PFC_SIC_QD Referenzboard
06.04.2026
06.04.2026
Stellt einen mehrstufigen, bidirektionalen Wechselrichter mit aktivem Nullpunkt-Clamping (ANPC) dar.
M5Stack Core2 v1.3 Integrated Controller
06.04.2026
06.04.2026
ESP32-D0WDQ6-V3 core with an Xtensa dual-core 32-bit LX6 processor running at 240MHz.
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