Neueste Diskrete Halbleiter

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Arten von diskreten Halbleitern

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IXYS X4-Class Leistungs-MOSFETs

02.02.2026

- Sie bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Leitungsverluste bei verbessertem Wirkungsgrad.

IXYS DP-Hochspannungsdioden mit schneller Recoveryzeit

01.20.2026

- 600 V oder 1.200 V SCHOTTKY-Dioden mit niedrigem Sperrstrom und schneller Recoveryzeit.

IXYS MMIX1T500N20X4 Leistungs-MOSFET von 200 V der X4-Klasse

10.08.2025

- Isoliertes Gehäuse auf Keramikbasis verbessert den Rth(j-s) insgesamt und die Strombelastbarkeit.

IXYS IXSxNxL2Kx Siliciumcarbid (SiC) MOSFETs

09.19.2025

- Diese Bauteile haben eine hohe Sperrspannung bei niedrigem Einschaltwiderstand [RDS(ON)].

IXYS IXSJxN120R1K SiC-Leistungs-MOSFETs von 1.200 V

08.27.2025

- Sperrspannung von bis zu 1.200 V mit einem niedrigen RDS(on) von 18 mΩ oder 36 mΩ.

IXYS Dx-Baureihe Silizium-Gleichrichter für Automobilapplikationen

04.14.2025

- Verfügt über glaspassivierte Sperrschichten, die einen stabilen Betrieb und eine hohe Zuverlässigkeit gewährleisten.

IXYS DCK SiC SCHOTTKY-Dioden

04.03.2025

- Bietet einen Hochfrequenzbetrieb und eine hohe Stromstoßbelastbarkeit.

IXYS MCMA140PD1800TB Thyristor-Diodenmodul

03.25.2025

- Das 140 A Diodenmodul ist mit einem planar passivierten Chip integriert und bietet eine langfristige Stabilität.

IXYS IXFP34N65X2W Leistungs-MOSFET

03.17.2025

- 650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit 100 mΩ und n-Kanal-Anreicherungstyp.

IXYS IXSA40N120L2-7 SiC-MOSFET

03.06.2025

- Einzelschalter-MOSFET, der über ein 1.200 V, 80 mΩ, 41 A Industriestandard-Bauteil in einem TO263-7L-Gehäuse verfügt.

IXYS IXSA80N120L2-7 SiC-MOSFET

03.06.2025

- Einzelschalter-MOSFET, der über ein 1.200 V, 30 mΩ, 79 A Industriestandard-Bauteil in einem TO263-7L-Gehäuse verfügt.

IXYS IXFH34N65X2W Leistungs-MOSFET

02.27.2025

- 650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit 100 mΩ und n-Kanal-Anreicherungstyp.

IXYS IXFH46N65X2W Leistungs-MOSFET

02.27.2025

- 650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit einem n-Kanal-Anreicherungstyp.

IXYS IXSH40N120L2KHV SiC-MOSFET

02.18.2025

- Der 1.200 V 80-mΩ und 41 A-MOSFET wird für den Einsatz in Industrie-Schaltnetzteilen empfohlen.

IXYS IXSH80N120L2KHV SiC-MOSFET

02.18.2025

- Der 1.200 V 30-mΩ und 79 A-MOSFET wird für den Einsatz in Industrie-Schaltnetzteilen empfohlen.

IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC-MOSFETs

11.28.2024

- Bieten eine Nennspannung von 200 V, einen Strombereich von 340 A bis 500 A und ein SOT-227B-Gehäuse.

IXYS DPF100C1200HB 1.200 V, 2 x 50 A Schnelle Freilaufdioden

11.22.2024

- Zwei Universal-Leistungsschaltdioden in einer Konfiguration mit gemeinsamer Kathode und einem TO-247-Gehäuse.

IXYS XPT IGBTs der 5. Gen.

07.25.2024

- Bieten eine Nennspannung von 650 V, einen Strombereich von 35 A bis 220 A und eine niedrige Gate-Ladung.

IXYS DPF30U200FC 200 V 30 A 3-Phasen-Brückengleichrichter

07.22.2024

- Dieses Bauteil wird häufig als Gleichrichter in Schaltnetzteilen (SMPS) verwendet.

IXYS DSEP60-06AZ 600 V Schnelle 60 A Freilaufdiode

07.08.2024

- Eine leistungsstarke, verlustarme Einzeldiode mit Soft-Recovery in einem TO-268AA-Gehäuse (D3PAK-HV).

IXYS SRU6008DS2RP Empfindlicher SCR

02.19.2024

- Ein 600 V SCR mit hoher Vorwärtssperre, der sich hervorragend für Hochspannungs-Kondensatorentladungsapplikationen eignet.

IXYS MPA 95-06DA FRED-Module

01.18.2024

- Verfügen über planar passivierte chips und geringe Schaltverluste für Hochfrequenz-Schaltbauteile.

IXYS MCMA140P1600TA-NI Thyristormodule

01.18.2024

- Verfügt über planar passivierte Chips und einen direkten kupfergebundenen AI2O3-Keramik für Leitungsfrequenz.

IXYS DMA80I1600HA Einzeldioden-Gleichrichter

08.11.2022

- Verfügen über Planar-Passivierungs-Chips, einen niedrigen Ableitstrom und einen niedrigen Durchlass-Spannungsabfall.

IXYS STP802U2SRP Empfindliche 1,5-A-Doppel-SCRs

08.10.2022

- Hohes statisches dv/dt mit geringer Abschaltzeit (tq) und 1,5 ARMS Einschaltstrom.

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Filtern nach:

Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 7 25 V mit N-Kanal

03.27.2026

- Anwendungsoptimiertes Betriebsverhalten, das Betriebsverhalten für Rechenzentren, Server & KI ermöglicht.

Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 6 60 V

03.27.2026

- Bietet ein überlegenes Betriebsverhalten für OptiMOS 5 dank robuster Leistungs-MOSFET-Technologie.

Infineon Technologies Mehrzweck-Dioden für ESD-Schutz

03.27.2026

- Die Dioden bieten optimalen Schutz bei minimalem Footprint und gewährleisten ein überragendes ESD- Betriebsverhalten.

RECOM Power RVS002 Micropower Isolated Power Bridge Rectifier

03.24.2026

- Designed for micro-power isolated power supply applications in space-constrained environments.

iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

03.24.2026

- Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.

Renesas Electronics TP65B110HRU Bidirektionaler Schalter (BDS)

03.20.2026

- Normalerweise ausgeschalteter GaN-BDS (Galliumnitrid) von 650 V und 110 mΩ in einem kompakten TOLT-Gehäuse.

Vishay XFD11K XClampR® Überspannungsschutzvorrichtungen

03.18.2026

- Bidirektionale Bauteile zur Oberflächenmontage, die für eine hohe Temperaturstabilität und eine hohe Zuverlässigkeit ausgelegt sind.

Vishay T3KN12CA thru T3KN100CA PAR® TVS

03.18.2026

- TVSs are bidirectional, 3000W peak-pulse-power devices ideal for automated placement.

Infineon Technologies OptiMOS™ 8 Leistungs-MOSFETs

03.17.2026

- Hierbei handelt es sich um N-Kanal-MOSFETs mit normalem Pegel 80 V oder 100 V und sehr niedrigem Einschaltwiderstand [RDS(ON)].

Infineon Technologies Bidirektionale Schalter CoolGaN™ für mittlere Spannung

03.17.2026

- Diese Bauteile eignen sich hervorragend als Batterietrennschalter in verschiedenen Applikationen.

ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ mit geformten Modulen

03.17.2026

- Mit 1.200 V Nennspannung in einem 41,6 mm × 52,5 mm Gehäuse und integrierten SiC-MOSFETs der 4. Generation.

Diodes Incorporated DTHP60B07PT 60 A Hyperschnelle Planar-Gleichrichter

03.13.2026

- Verfügen über eine Sperrspannung von 650 V, einen niedrigen Durchlass-Spannungsabfall und eine extrem schnelle Sperrverzögerung.

onsemi NVMFD5873NL Dual-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

03.13.2026

- Für kompakte und effiziente Designs, einschließlich hoher thermischer Leistung, konzipiert.

Texas Instruments TVS2210 Flat-Clamp-Überspannungsschutzvorrichtung

03.12.2026

- Ausgelegt, um schnell auf einen Fehlerstrom bis zu 25 A zu reagieren und so vor Transienten oder Blitzeinschlägen zu schützen.

Micro Commercial Components (MCC) BAT46L2 Schottky Diode

03.12.2026

- 150mW small-signal Schottky diode designed for high‑speed switching applications.

Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.

Qorvo QPD2560L 300 W GaN/SiC HEMT

03.09.2026

- Konzipiert für anspruchsvolle L-Band- Applikationen, die im Frequenzbereich 1.0 GHz bis 1,5 GHz arbeiten.

Littelfuse SP1120-01WTG Unidirektionale diskrete TVS-Diode

03.09.2026

- Proprietäre Silizium und Avalanche Technology sowie hoher ESD-Schutz für elektronische Geräte.

Diotec Semiconductor MM3Z3V0-AQ Zener Diode

03.06.2026

- Offers a 300mW power dissipation rating and comes in a compact SOD‑323F surface‑mount package.

Diotec Semiconductor TPSMA6L20A-AQ TVS Diode

03.06.2026

- AEC‑Q101 qualified unidirectional diode built in compact SMAF (DO‑221AC) low‑profile package.

Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET

03.06.2026

- Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.

Diotec Semiconductor MMS3Z18BGW-AQ Zener Diode

03.06.2026

- Housed in a compact SOD‑323 surface‑mount package, providing a 300mW power dissipation.

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