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= ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor Hochdichte SiC-Leistungsmodule
04.10.2026
04.10.2026
Die TRCDRIVE-Packung™, DOT-247- und HSDIP20-Gehäuse tragen zur leistungsstarken Leistungsumwandlung bei.
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ mit geformten Modulen
03.17.2026
03.17.2026
Mit 1.200 V Nennspannung in einem 41,6 mm × 52,5 mm Gehäuse und integrierten SiC-MOSFETs der 4. Generation.
ROHM Semiconductor LMRx802-LB Operationsverstärker
11.24.2025
11.24.2025
Der Operationsverstärker zeichnet sich durch geringes Rauschen, eine niedrige Eingangs-Offsetspannung und einen niedrigen Eingangsruhestrom aus.
ROHM Semiconductor BM2P10xJ-Z PWM-Typ DC/DC-Wandler-ICs
11.03.2025
11.03.2025
Verfügen über einen integrierten Schalt- MOSFET von 730 V und werden direkt vom AC-Hochspannungsnetz betrieben.
ROHM Semiconductor 750 V n-Kanal-SiC-MOSFETs
10.17.2025
10.17.2025
Diese Bauteile erhöhen die Schaltfrequenz und dadurch die erforderlichen Kondensatoren, Reaktoren und andere Bauelemente verringern.
ROHM Semiconductor RD3x n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen
10.16.2025
10.16.2025
AEC-Q101-qualifizierte MOSFETs mit niedriger Durchlassspannung, schneller Recoveryzeit und hohem Ableitvermögen.
ROHM Semiconductor BM2P06xJ-Z PWM-Typ-DC/DC-Wandler-ICs
09.26.2025
09.26.2025
Für kompakte und effizient isolierte AC/DC-Power-Strip -Applikationen ausgelegt.
ROHM Semiconductor BM3G115MUV-EVK-003 Evaluierungsboard
08.27.2025
08.27.2025
Wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G115MUV GaN-HEMT-Leistungsschaltung-ICs zu evaluieren und zu demonstrieren.
ROHM Semiconductor BM3G107MUV-EVK-003 Evaluierungsboard
08.27.2025
08.27.2025
Das Board wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G107MUV GaN HEMT Power Stage IC zu evaluieren und zu demonstrieren.
ROHM Semiconductor RJ1x10BBG Leistungs-MOSFETs
08.21.2025
08.21.2025
N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und einem Hochleistunggehäuse.
ROHM Semiconductor RNxMFH PIN-Dioden im Automobilstandard
08.21.2025
08.21.2025
Dioden im Automobilstandard mit ultrakleinem Formkörper, die für Hochfrequenzschaltungen geeignet sind.
ROHM Semiconductor RQxAT P-Kanal-MOSFETs
08.21.2025
08.21.2025
Die Bauteile verfügen über ein Gehäuse zur Oberflächenmontage mit niedrigem On-Widerstand und sind zu 100 % Rg- und UIS-geprüft.
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700-V-N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET
08.21.2025
08.21.2025
Ein mit einer Drain-Source-Spannung von 1.700 V (VDSS) und einem Dauersenkenstrom von 3,9 A (ID) bewerteter SiC-MOSFET.
ROHM Semiconductor RF202LB2S superschnelle Freilaufdiode
08.21.2025
08.21.2025
Eine superschnelle Freilaufdiode vom Typ Silizium-Epitaxie-Planar mit niedriger VF und geringen Schaltverlusten.
ROHM Semiconductor RN242SM PIN-Diode
08.20.2025
08.20.2025
Bietet eine niedrige Kapazität und ein extrem ultrakleines Gehäuse, das für Hochfrequenzschaltungen geeignet ist.
ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Spannung VDSS von 40 V und einem Strom ID von ±12 A, das gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Spannung VDSS von 100 V und einem Strom ID von ±40 A, das gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40-V-P-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
MOSFETs mit einer Drain-Source-Spannung (VDSS) von -40 V und einem Dauersenkenstrom (ID) von ±4,0 A.
ROHM Semiconductor RH7G04 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs
08.19.2025
08.19.2025
Bei diesen Bauteile handelt es sich um gemäß AEC-Q101 zugelassene MOSFETs mit 40 V VDSS und ±40 A IDim Automobilstandard.
ROHM Semiconductor RH7L03 60 V N-Kanal Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein Automobilstandard-MOSFET, das für VDSS von 60 V und ID von ±35 A ausgelegt und gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein Automobilstandard-MOSFET, das für VDSS von -30 V und ID von ±40 A ausgelegt und gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor JMZV8.2B 5-mA-Zener-Dioden
08.19.2025
08.19.2025
Die in einem kleinen Power-Mold-Gehäuse erhältlichen Bauteile sind für Applikationen zur Spannungsregelung geeignet
ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Nennspannung von -60 V VDSS und einem Nennstrom von ±36 A ID, der gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor BR25G-5 SPI BUS EEPROMs
08.19.2025
08.19.2025
Diese Bauteile sind 16Kbit serielle EEPROMs mit einer SPI BUS-Schnittstelle und 4 Millionen Schreibzyklen.
ROHM Semiconductor RH7L04 60 V N-Kanal Leistungs-MOSFETs
08.19.2025
08.19.2025
AEC-Q101-zugelassene MOSFETs für Fahrzeuganwendungen mit 60 V VDSS und ±40 A ID
Ansicht: 1 - 25 von 220
Bourns CDSOD323-T24LC-Q TVS-Dioden in Automobilqualität
06.26.2026
06.26.2026
Bidirektionale Automotive-Grade TVS-Dioden in einem kompakten SOD-323-Gehäuse.
Microchip Technology PIC16F13256/76 28/40-Pin Microcontrollers
06.25.2026
06.25.2026
Integrates low-power operation, configurable logic, and rugged security features.
NXP Semiconductors PF0300 Power Management Integrated Circuit (PMIC)
06.25.2026
06.25.2026
This device integrates multiple high-performance buck regulators and an LDO regulator.
onsemi NCV76124EVK Evaluierungskit
06.25.2026
06.25.2026
Dieses Evaluierungskit unterstützt den NCV76124 Regen- und Licht-Schnittstellen-Chip.
onsemi NCP303345 Intelligente Leistungsstufe
06.25.2026
06.25.2026
Integriert einen Strommess-Treiber einen High-Side-MOSFET und einen Low-Side-MOSFET in einem einzigen Gerät.
NXP Semiconductors PF51x3 Multi-Channel PMICs
06.25.2026
06.25.2026
These devices are a great companion and fit for various system-level power requirements.
onsemi NCV84003G High-Side-eFuse
06.25.2026
06.25.2026
Das Bauteil kann mechanische Sicherungen ersetzen und Strom in einer intelligenten Stromverteilungsarchitektur liefern.
onsemi NL5S4599/NL5ST4599 Hochgeschwindigkeits-SPDT-Analogschalter
06.25.2026
06.25.2026
Erzielt hohe Ausbreitungsverzögerungen und einen niedrigen On-Widerstand bei gleichzeitiger Beibehaltung einer geringen Verlustleistung.
Infineon Technologies REF_MINI_CMFRT_SIP Referenzdesign
06.24.2026
06.24.2026
Kompaktes Automotive-BLDC-Motorsteuerungs-Referenzdesign mit MOTIX™ MCU-SiP-Integration.
Infineon Technologies REF_WATERPUMP_SIP Referenzdesign
06.24.2026
06.24.2026
150-W-BLDC-Wasserpumpen-Referenzdesign mit integrierter MOTIX™-MCU-SiP-Lösung.
Lattice Semiconductor CertusPro-NX System-on-Module (SoM)-Platine
06.24.2026
06.24.2026
FPGA-basierte Plattform für eingebettete Bildverarbeitung und KI mit Unterstützung für MIPI, PCIe und Raspberry Pi CM5.
Vishay DTO / D2TO Widerstands-Kits
06.24.2026
06.24.2026
Umfassen eine Auswahl von Widerstandswerten, die einen repräsentativen Bereich abdecken (0,01 Ω bis 550 kΩ).
Toshiba Stromsparende Vierkanal-Digitalisolatoren
06.23.2026
06.23.2026
Stromsparende Vierkanal-Digitalisolatoren mit kompaktem SSOP16-Gehäuse für industrielle Systeme.
Quectel LS550G (00) GNSS Modules
06.23.2026
06.23.2026
Supports concurrent reception of GPS, GLONASS, Galileo, BDS, and QZSS constellations.
e-peas EVK15820 Evaluation Kit
06.22.2026
06.22.2026
Integrates all necessary components to operate the AEM15820 IC in a 40‑pin QFN package.
Diodes Incorporated D3V3ZF1BD2CSP Bidirektionale TVS-Diode
06.22.2026
06.22.2026
Gerät mit niedriger Kapazität, das speziell zum Schutz von Hochgeschwindigkeits-Differenzleitungen entwickelt wurde.
Swissbit S-56 & S-56u Memory Cards
06.22.2026
06.22.2026
Offer 4 GBytes, 8 GBytes, 16 GBytes, 32 GBytes, 64 GBytes, and 128GBytes capacities.
Analog Devices Inc. AD-IMP2501-SL 1,5-MHz-Impedanzanalysator-Lösung
06.19.2026
06.19.2026
Ein Demonstrations- und Technologiebewertungssystem für Impedanzanalysatoren, bestehend aus zwei Boards.
STMicroelectronics EVL4983-350W Demonstrationsboard
06.19.2026
06.19.2026
Demonstrationsboard auf Basis des Leistungsfaktorkorrekturreglers im nicht-lückenden Betrieb L4983.
Analog Devices Inc. EVAL-ADuM7811 Evaluierungsboard
06.19.2026
06.19.2026
Eine voll ausgestattete Plattform zur Bewertung des ADuM7811 ADC mit Sigma-Delta-moduliertem Bitstream.
Analog Devices Inc. EV-ADuM7801-8FMCZ Evaluierungsboard
06.19.2026
06.19.2026
Eine vollständig ausgestattete Plattform zur Evaluierung des ADuM7801 ADC mit einem Σ-Δ-modulierten Bitstream-Ausgang.
Vishay MXP075 MaxSiC® 750-V-n-Kanal-MOSFETs
06.19.2026
06.19.2026
Zeichnen sich durch eine Drain-Source-Spannung von 750 V, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine Kurzschlussfestigkeit von 3 μs.
Mikroe SMA RAK11720 Click
06.19.2026
06.19.2026
Dual wireless connectivity for long-range LoRaWAN and short-range BLE IoT designs.
Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
06.18.2026
06.18.2026
Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.
Analog Devices Inc. AD4088 Rauscharmer, stromsparender SAR-ADC
06.17.2026
06.17.2026
Ein schneller, rauscharmer und verzerrungsarmer 14-Bit-ADC mit Easy Drive-Technologie und sukzessiver Approximation.
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