SyncBurst SRAMs

Die SyncBurst SRAMs von GSI Technology gehören zu einem umfassenden Portfolio synchroner Burst-SRAMs (SyncBurst™) mit hoher Taktrate und geringer Leistungsaufnahme. SyncBurst SRAMs liefern einen „Burst“ von (typischerweise) 2 bis 4 Wörtern pro Taktsignal. Die vereinfachte Schnittstelle des Gerätes ist für die Nutzung der maximalen Bandbreite des Datenbus designt. SyncBurst SRAMs werden in Militär-, Netzwerk-, Industrie-, Automobil- und medizinischen Bildgebungsapplikationen verwendet, die eine mittlere Leistung voraussetzen.
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Organisation
Zugangszeit
Maximale Taktfrequenz
Schnittstellen-Typ
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Verpackung
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
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Min.: 1
Mult.: 1

18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 205 mA, 225 mA 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Datenblatt
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Min.: 36
Mult.: 36

18 Mbit 1 M x 18 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 240 mA, 285 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Datenblatt
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Min.: 36
Mult.: 36

18 Mbit 1 M x 18 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 260 mA, 305 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
Datenblatt
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Min.: 1
Mult.: 1

18 Mbit 1 M x 18 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 220 mA, 280 mA 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Datenblatt
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Min.: 36
Mult.: 36

18 Mbit 1 M x 18 4.2 ns 375 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 320 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Datenblatt
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Min.: 36
Mult.: 36

18 Mbit 1 M x 18 4.2 ns 375 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 270 mA, 340 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 36
Mult.: 36

18 Mbit 1 M x 18 4 ns 400 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 255 mA, 335 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Datenblatt
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Min.: 36
Mult.: 36

18 Mbit 1 M x 18 4 ns 400 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 275 mA, 355 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
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Min.: 1
Mult.: 1

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 180 mA, 200 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
Datenblatt
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Min.: 1
Mult.: 1

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 210 mA, 215 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
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Min.: 1
Mult.: 1

18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 225 mA, 245 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
Datenblatt
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Min.: 1
Mult.: 1

18 Mbit 1 M x 18 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 240 mA, 300 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
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Min.: 1
Mult.: 1

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 170 mA, 180 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
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Min.: 1
Mult.: 1

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 160 mA, 180 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
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Min.: 1
Mult.: 1

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 195 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
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Min.: 1
Mult.: 1

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 215 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
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Min.: 1
Mult.: 1

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 190 mA, 195 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
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Min.: 1
Mult.: 1

18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 230 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
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Min.: 1
Mult.: 1

18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA, 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
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Min.: 1
Mult.: 1

18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 205 mA, 225 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
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Min.: 36
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18 Mbit 1 M x 18 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 240 mA, 285 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
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18 Mbit 1 M x 18 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 260 mA, 305 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
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Min.: 1
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18 Mbit 1 M x 18 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 220 mA, 280 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
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Min.: 36
Mult.: 36

18 Mbit 1 M x 18 4.2 ns 375 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 320 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
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Nicht auf Lager
Min.: 36
Mult.: 36

18 Mbit 1 M x 18 4.2 ns 375 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 270 mA, 340 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray