Infineon SRAM

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Organisation
Zugangszeit
Maximale Taktfrequenz
Schnittstellen-Typ
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Qualifikation
Verpackung
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 1.8v 400MHz QDR II SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 272
Mult.: 272

72 Mbit 2 M x 36 450 ps 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1 A - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 1.8v 500MHz QDR II SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 272
Mult.: 272

72 Mbit 2 M x 36 450 ps 500 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.21 A - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 2Mb 3V 45ns 128K x 16 LP SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Infineon Technologies SRAM CMOS RAM W ECC 4-Mbit
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-36 Tube
Infineon Technologies SRAM ASYNC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-36 Tube
Infineon Technologies SRAM 16Mb Fast SRAM With PowerSnooze
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 960
Mult.: 960

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 110 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Tray
Infineon Technologies SRAM 512Kb 10ns 32K x 16 Fast Async SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

512 kbit 32 k x 16 10 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 80 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 2.5v 200MHz SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 360
Mult.: 360

72 Mbit 2 M x 36 3 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 167MHz SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 144
Mult.: 144

72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 2.5v 200MHz SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

72 Mbit 4 M x 18 3 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 3.3v 200MHz SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 144
Mult.: 144

72 Mbit 4 M x 18 3 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 500 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 32Mb 3V 55ns 2M x 16 LP SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000

32 Mbit 4 M x 8/2 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 16Mb 1.8V 55ns 1M x 16 LP SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 960
Mult.: 960
Nein
16 Mbit 1 M x 16 55 ns Parallel 2.25 V 1.65 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray
Infineon Technologies SRAM 16Mb 1.8V 55ns 1M x 16 LP SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000
Nein
16 Mbit 1 M x 16 55 ns Parallel 2.25 V 1.65 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 133MHz SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 525
Mult.: 525
Nein
72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.63 V 3.14 V 305 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 4.6v 200MHz SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 210
Mult.: 210
Nein
72 Mbit 4 M x 18 3 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 500 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72Mb 1.8V 2M x 36 300Mhz QDR II SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000
Nein
72 Mbit 2 M x 36 450 ps 300 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 790 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Reel
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 1.8v 400MHz QDR II SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136
Nein
72 Mbit 2 M x 36 450 ps 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1 A - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 250Mhz 4M x 36 QDR II SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 525
Mult.: 525
Nein
144 Mbit 4 M x 36 450 ps 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 950 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 450Mhz 8M x 18 QDR II SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 210
Mult.: 210
Nein
144 Mbit 8 M x 18 450 ps 450 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 940 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 450Mhz 4M x 36 DDR II SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 210
Mult.: 210
Nein
144 Mbit 4 M x 36 450 ps 450 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 980 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 450Mhz 8M x 18 QDR II SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 105
Mult.: 105
Nein
144 Mbit 8 M x 18 450 ps 450 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 940 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 550Mhz 8M x 18 QDR II SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 105
Mult.: 105
Nein
144 Mbit 8 M x 18 450 ps 550 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.09 A - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 450Mhz 4M x 36 QDR II SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 105
Mult.: 105
Nein
144 Mbit 4 M x 36 450 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.29 A - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 450Mhz 4M x 36 DDR II SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 105
Mult.: 105
Nein
144 Mbit 4 M x 36 50 ns 450 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 980 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray