Infineon SRAM

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Organisation
Zugangszeit
Maximale Taktfrequenz
Schnittstellen-Typ
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Qualifikation
Verpackung
Infineon Technologies SRAM 16Mb MoBL SRAM With ECC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 4 800
Mult.: 4 800

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 55 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 32 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray
Infineon Technologies SRAM ASYNC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 960
Mult.: 960

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 55 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 32 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-I-48 Tray
Infineon Technologies SRAM ASYNC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 55 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 32 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-I-48 Reel
Infineon Technologies SRAM ASYNC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 55 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 32 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM MICROPOWER SRAMS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 96
Mult.: 96

16 Mbit 1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-I-48 Tray
Infineon Technologies SRAM MICROPOWER SRAMS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000

16 Mbit 1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM MICROPOWER SRAMS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

16 Mbit 1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray
Infineon Technologies SRAM MICROPOWER SRAMS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

16 Mbit 1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-I-48 Reel
Infineon Technologies SRAM ASYNC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-I-48 Reel
Infineon Technologies SRAM ASYNC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray
Infineon Technologies SRAM ASYNC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM ASYNC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 16Mb MoBL SRAM With ECC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 960
Mult.: 960

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 45 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-I-48 Tray
Infineon Technologies SRAM ASYNC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 45 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-I-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 16Mb MoBL SRAM With ECC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 4 800
Mult.: 4 800

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 55 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 32 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray
Infineon Technologies SRAM ASYNC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 55 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 32 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 16Mb MoBL SRAM With ECC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2 400
Mult.: 2 400

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray
Infineon Technologies SRAM ASYNC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM ASYNC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-I-48 Reel
Infineon Technologies SRAM ASYNC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 4 800
Mult.: 4 800

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray
Infineon Technologies SRAM ASYNC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM ASYNC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

16 Mbit 1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray
Infineon Technologies SRAM ASYNC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

16 Mbit 1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-I-48 Reel
Infineon Technologies SRAM ASYNC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000

16 Mbit 1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 16Mb MoBL SRAM With ECC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 4 800
Mult.: 4 800

16 Mbit 2 M x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray