Infineon SRAM

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Speichergröße Organisation Zugangszeit Maximale Taktfrequenz Schnittstellen-Typ Versorgungsspannung - Max. Versorgungsspannung - Min. Versorgungsstrom - Max. Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Montageart Verpackung/Gehäuse Qualifikation Verpackung
Infineon Technologies SRAM 72Mb 550hz 1.8V 2M x 36 QDR II SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 272
Mult.: 272

72 Mbit 2 M x 36 450 ps 550 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.31 A - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb, 4M x 36 300Mhz QDR-II SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 105
Mult.: 105

144 Mbit 4 M x 36 450 ps 300 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 450Mhz 8M x 18 QDR II SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 525
Mult.: 525

144 Mbit 8 M x 18 450 ps 450 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 940 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 550Mhz 8M x 18 QDR II SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 210
Mult.: 210

144 Mbit 8 M x 18 450 ps 550 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.09 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 550Mhz 4M x 36 QDR II SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 525
Mult.: 525

144 Mbit 4 M x 36 450 ps 550 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.52 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 550Mhz 4M x 36 QDR II SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 525
Mult.: 525

144 Mbit 4 M x 36 450 ps 550 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.52 A - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 32Mb 3.3V 12ns 4Mx8 Fast Async SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000

32 Mbit 4 M x 8 12 ns Parallel 3.3 V 3 V 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 1Mb 3V 55ns 64K x 16 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

1 Mbit 64 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 35 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies SRAM 2Mb 3V 45ns 128K x 16 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 2.9v 550MHz DDR II SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 272
Mult.: 272

72 Mbit 2 M x 36 450 ps 550 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.31 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 8Mb 3V 45ns 512K x 16 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies SRAM 144MB (8Mx18) QDR II 1.8V, 300MHz Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 525
Mult.: 525

144 Mbit 8 M x 18 450 ps 300 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 910 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144MB (4Mx36) QDR II 1.8V, 250MHz Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 210
Mult.: 210

144 Mbit 4 M x 36 450 ps 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 830 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144MB (16Mx9) QDR II 1.8V, 250MHz Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1 050
Mult.: 1 050

144 Mbit 16 M x 9 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 780 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 1Mb 3V 55ns 64K x 16 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000

1 Mbit 64 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 35 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT VFBGA-48 AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies SRAM 1Mb 3V 55ns 64K x 16 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

1 Mbit 64 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 35 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies SRAM 2Mb 3V 55ns 128K x 16 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

2 Mbit 128 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies SRAM 4Mb 1.8V 55ns 256K x 16 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000

4 Mbit 256 k x 16 55 ns Parallel 2.25 V 1.65 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 8Mb 3V 45ns 512K x 16 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies SRAM 8Mb 3V 45ns 512K x 16 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies SRAM 16Mb 1.8V 55ns 1M x 16 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000

16 Mbit 1 M x 16 55 ns Parallel 2.25 V 1.65 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 16Mb 3V 45ns 2M x 8 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000

16 Mbit 2 M x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 2.5v 200MHz SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

72 Mbit 2 M x 36 3 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 2.5v 200MHz SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 360
Mult.: 360

72 Mbit 4 M x 18 3 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 1Mb 55ns 128K x 8 Low Power SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Rolle: 1 500

1 Mbit 128 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 35 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT STSOP-32 AEC-Q100 Reel