R1RW0408DGE-2LR#B1

Renesas Electronics
968-R1RW0408DGE2LRB1
R1RW0408DGE-2LR#B1

Herst.:

Beschreibung:
SRAM SRAM 4MB FAST X8 3V SOJ 12NS 0TO70C

Lebenszyklus:
End-of-Life-Produkt :
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Renesas Electronics
Produktkategorie: SRAM
RoHS:  
4 Mbit
512 k x 8
12 ns
3.6 V
3 V
100 mA
0 C
+ 70 C
SMD/SMT
SOJ-36
Tray
Marke: Renesas Electronics
Speichertyp: SRAM
Produkt-Typ: SRAM
Verpackung ab Werk: 22
Unterkategorie: Memory & Data Storage
Typ: High Speed
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Ausgewählte Attribute: 0

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CAHTS:
8542320030
USHTS:
8542320041
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A991.b.2.a

Asynchronous SRAMs

Renesas Electronics asynchrone SRAMs basieren auf der leistungsstarken CMOS-Technologie mit hoher Zuverlässigkeit. Die Technologie und innovative Schaltungsdesign-Techniken bieten eine kostengünstige LÖSUNG für asynchrone Hochgeschwindigkeits-SRAM-Speicheranforderungen. Vollständig statische asynchrone Schaltungen erfordern keine Takte oder Aktualisieren für den Betrieb. Der Renesas liefert einen asynchronen SRAM in einem RoHS-6/6-compliant-Gehäuse (umweltfreundlich) mit Industriestandard-Gehäuseoptionen.