R1RW0408DGE-2LR#B1

Name: Renesas Electronics R1RW0408DGE-2LR#B1
Brand: Renesas Electronics
SKU: 968-R1RW0408DGE2LRB1
Price: 16.16 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

968-R1RW0408DGE2LRB1

Herst.- Nr.:

R1RW0408DGE-2LR#B1

Herst.:

Renesas Electronics

Beschreibung:

SRAM SRAM 4MB FAST X8 3V SOJ 12NS 0TO70C

Lebenszyklus:

End-of-Life-Produkt :

Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt

Datenblatt:

R1RW0408DGE-2LR#B1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Renesas Electronics
Produktkategorie:	SRAM
RoHS:
Speichergröße:	4 Mbit
Organisation:	512 k x 8
Zugangszeit:	12 ns
Versorgungsspannung - Max.:	3.6 V
Versorgungsspannung - Min.:	3 V
Versorgungsstrom - Max.:	100 mA
Minimale Betriebstemperatur:	0 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 70 C
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOJ-36
Verpackung:	Tray
Marke:	Renesas Electronics
Speichertyp:	SRAM
Produkt-Typ:	SRAM
Verpackung ab Werk:	22
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Typ:	High Speed

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EOL

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USHTS:: 8542320041
TARIC:: 8542324500
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.2.a

Asynchronous SRAMs

Renesas Electronics asynchrone SRAMs basieren auf der leistungsstarken CMOS-Technologie mit hoher Zuverlässigkeit. Die Technologie und innovative Schaltungsdesign-Techniken bieten eine kostengünstige LÖSUNG für asynchrone Hochgeschwindigkeits-SRAM-Speicheranforderungen. Vollständig statische asynchrone Schaltungen erfordern keine Takte oder Aktualisieren für den Betrieb. Der Renesas liefert einen asynchronen SRAM in einem RoHS-6/6-compliant-Gehäuse (umweltfreundlich) mit Industriestandard-Gehäuseoptionen.