SRAM

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Speichergröße Organisation Zugangszeit Schnittstellen-Typ Versorgungsspannung - Max. Versorgungsspannung - Min. Versorgungsstrom - Max. Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Montageart Verpackung/Gehäuse Verpackung
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 310Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 200

32 Mbit 2 M x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT
Renesas Electronics SRAM 4Mb 3V Adv. SRAM x16 FBGA 45NS Tray
366erwartet ab 06.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 256 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-48 Tray
Renesas Electronics SRAM 4Mb 3V Adv. SRAM x16, FBGA, 45NS, T+R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

SMD/SMT FBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 32Mb 3.3V 12ns 2Mx16 Fast Async SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000

32 Mbit 2 M x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 16Mb MoBL SRAM With ECC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 4 800
Mult.: 4 800

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 55 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 32 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray
Infineon Technologies SRAM 16Mb MoBL SRAM With ECC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2 400
Mult.: 2 400

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray
Infineon Technologies SRAM 16Mb MoBL SRAM With ECC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 4 800
Mult.: 4 800

16 Mbit 2 M x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray
ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,1.7v-1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

8 Mbit 512 k x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

Reel
ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,1.7v-1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

8 Mbit 512 k x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48