MoBL™ Asynchrone SRAMs

Die MoBL™ asynchronen SRAM-Bauteile von Cypress Semiconductor umfassen ein breites Portfolio mit Dichten von 64 KB bis 64 MB. Die MoBL SRAMs sind in Industriestandard-Spannungs-, Busbreiten- und Gehäuse-Optionen verfügbar. Die Bauteile verfügen über branchenführende (max.) Standby-Verlustleistungsspezifikationen. Die MoBL asynchronen SRAMs eignen sich hervorragend für batteriebetriebene und batteriegestützte Lösungen in verschiedenen Applikationssegmenten. Die MoBL SRAM-Bauteile sind in Industrie-, Automotive- und strahlungsgehärteten Temperaturklassen erhältlich.

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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Organisation
Zugangszeit
Schnittstellen-Typ
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Verpackung
Infineon Technologies SRAM 2Mb 3V 45ns 256K x 8 LP SRAM
Datenblatt
860Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-36 Tray
Infineon Technologies SRAM 4Mb 3V 45ns 512K x 8 LP SRAM
Datenblatt
895Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000

4 Mbit 512 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-36 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies SRAM 4Mb 3V 45ns 512K x 8 LP SRAM
Datenblatt
1 251Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 512 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-36 Tray
Infineon Technologies SRAM 2Mb 3V 45ns 256K x 8 LP SRAM
Datenblatt
3 942Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-36 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies SRAM 2Mb 3V 45ns 256K x 8 LP SRAM
Datenblatt
Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-36 Tray
Infineon Technologies SRAM 2Mb 3V 45ns 256K x 8 LP SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-36 Reel
Infineon Technologies SRAM 4Mb 3V 45ns 512K x 8 LP SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000
Nein
4 Mbit 512 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-36 Reel
Infineon Technologies SRAM 4Mb 3V 45ns 512K x 8 LP SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Nein
4 Mbit 512 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-36 Tray