SRAM

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Speichergröße Organisation Zugangszeit Maximale Taktfrequenz Schnittstellen-Typ Versorgungsspannung - Max. Versorgungsspannung - Min. Versorgungsstrom - Max. Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Montageart Verpackung/Gehäuse Verpackung
ISSI SRAM 32Mb, SerialRAM, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 4 438Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 314
Rolle: 3 000

32 Mbit 4 M x 8 7 ns 104 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI SRAM 8Mb, SerialRAM, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 3 561Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 647
Rolle: 3 000

8 Mbit 1 M x 8 7 ns 104 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel, Cut Tape
ISSI SRAM 16Mb, SerialRAM, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 3 234Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 472
Rolle: 3 000

16 Mbit 2 M x 8 7 ns 104 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI SRAM 4Mb 512Kx8 20MHz Serial SRAM IT 3 736Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 565
Rolle: 3 000

4 Mbit 512 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 2.2 V 16 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI SRAM 4Mb 512Kx8 45MHz Serial SRAM IT 3 527Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 978

4 Mbit 512 k x 8 15 ns 45 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Tube
ISSI SRAM 1Mb 128Kx8 45MHz Serial SRAM IT 83Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 200

1 Mbit 128 k x 8 15 ns 45 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 2.7 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Tray
ISSI SRAM 4Mb 512Kx8 30MHz Serial SRAM IT 144Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 27

4 Mbit 512 k x 8 23 ns 30 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.65 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Tray
ISSI SRAM
1 199erwartet ab 04.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 263

16 Mbit 16 M x 8 7 ns 104 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 300 uA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8
ISSI SRAM 1Mb, Serial SRAM, 2.7V-3.6V, 45MHz, 8 pin SOIC 150mil, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

1 Mbit 128 k x 8 45 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 2.7 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel
ISSI SRAM 4Mb, Serial SRAM, 1.65V-.2.2V, 30MHz, 8 pin SOIC 150mil, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

4 Mbit 512 k x 8 30 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.65 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel
ISSI SRAM 4Mb, Serial SRAM, 2.7V-3.6V, 45MHz, 8 pin SOIC 150mil, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

4 Mbit 512 k x 8 45 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel
ISSI SRAM 8Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

8 Mbit 1 M x 8 7 ns 104 MHz SPI 1.95 V 1.65 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel
ISSI SRAM 16Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

16 Mbit 2 M x 8 7 ns 104 MHz SPI 1.95 V 1.65 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel
ISSI SRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

32 Mbit 4 M x 8 7 ns 104 MHz SPI 1.95 V 1.65 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel